纳米隧道结的量子电容现象-物理杂志.PDF

!!!!!! 研究快讯 ! !!!!! 纳米隧道结的量子电容现象# 王 兵! 鲁 山 杨金龙 侯建国 （中国科学技术大学结构研究开放实验室 合肥 #$$% ） 肖旭东 （香港科学技术大学物理系 香港） 摘 要 利用 针尖和二维 纳米团簇构造的双隧道结，通过对单电子隧穿谱的测量，研究了纳米隧道结的 ’( )* 电容随隧道结宽度的变化，发现电容随结宽度的变化偏离了经典电容的行为，为纳米隧道结的量子电容效应提供 了实验证据+ 关键词 量子电容，纳米隧道结，单电子隧穿效应 !#$% ’#(#’)%#$’* +, # $#$+-$’%)+$ ,)-. /012 34 561 7)-. 80193:12 ;4 80619.*: （ ， ， ， ） !#$%$# ’()#%* +),-#)-#. /012#(1. -3 !%10% )04 5%*0-6-7. -3 8*10) 93 1 #$$% 8*10) =) =*9?:12 （ ， ， ， ） :;)#0 -3 =*.(1%( 5* 9-07 -07 /012#(1. -3 !%10% )04 5%*0-6-7. 9-07 -07 8*10) （ ） #./01230 ’5@ A6B6A0C61A@ :D 6 161:E*1AC0:1 DF:G@H IJ 6 KA611012 C*11@L012 G0AF:KA:B@ ’( C0B 61H 6 CM:9H09 G@1K0:16L 2:LH AL*KC@F M6K G@6K*F@H C5F:*25 K012L@ @L@ACF:1 C*11@L012 KB@ACF:KA:BJ :D 6 H:*IL@9I6FF0@F C*11@L E*1A9 ， C0:1 + /J H@AF@6K012 C5@ ’( C0B9AL*KC@F K@B6F6C0:1 0C M6K :IK@FN@H C56C C5@ A6B6A0C61A@ D0FKC 01AF@6K@H 61H C5@1 H@9 AF@6K@H 6C K5:FC K@B6F6C0:1 + ’50K H0DD@FK DF:G AL6KK0A6L I@56N0:F 61H BF:N0H@K @N0H@1A@ :D O*61C*G @DD@ACK :D C5@ A6B6A9 0C61A@ + ， ， 456 7819/ O*61C*G A6B6A0C61A@ 161:E*1AC0:1 K012L@ @L@ACF:1 C*11@L012 随着半导体制造工艺的迅速发展，电子器件尺 和 在对 纳米薄膜的研究中观察到量子电 )H6GK /@ ［］ 寸的线度以平均每 年减小一半的速度缩