课件：第章电力晶体管.ppt

THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 电力晶体管（GTR） 5.1 GTR的结构和工作原理 5.2 GTR的基本特性 5.3 GTR的主要参数 5.4 GTR的驱动 第5章 术语用法： 电力晶体管（Giant TransistRr——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的晶体管（BipRlar JunctiRn TransistRr——BJT），英文有时候也称为PRwer BJT。 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MRSFET取代。 GTR的结构和工作原理 5.1 图5.1 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 5.1 与普通的晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 GTR的结构和工作原理 在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 当考虑到集电极和发射极间的漏电流IceR时，ic和ib的关系为 ic=? ib +IceR 产品说明书中通常给直流电流增益hFE——在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。一般可认为??hFE 。 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。 5.1 GTR的结构和工作原理 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区 图5.2 共发射极接法时GTR的输出特性 GTR的基本特性 5.2 (2)? 动态特性 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程 。 图5.3 GTR的开通和关断过程电流波形 5.2 GTR的基本特性 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff 。 ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度。 负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗。 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 。 5.2 GTR的基本特性 图5.3 GTR的开通和关断过程电流波形 前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流IceR、集射极间饱和压降Uces、开通时间tRn和关断时间tRff (此外还有)： 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。 实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比UceR低得多。 GTR的主要参数 5.3 2)?集电极最大允许电流IcM 通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。 3) 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率 产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 。 5.3 GTR的主要参数 GTR的驱动电路 5.4 1. GTR对基极驱动电路的基本要求 GTR的基极驱动电路可分为直接驱动和隔离驱动两种方式。 直接驱动方式是指驱动电路与主电路之间直接连接。 隔离驱动方式则是指驱动控制电路与主电路间没有电的联系，驱动信号是通过隔离元件间传送的。 相比较而言，隔离驱动方式由于具有一定的抗干扰能力，安全性高，在实际中应用较多。 GTR的驱动电路 5.4 通常，GTR驱动电路应满足以下基本要求： 1）控制开通GTR时，驱动电流前沿要陡（小于1 并有一定的过冲电流，以缩短开通时间，减小开通损耗。 ）， 2）GTR导通后，应相应减小驱动电流，使GTR处于准饱 和导通状态，且使之不进入放大区和深饱和区，以降低 驱动功率，缩短储存时间。 3）GTR关断时，应迅速加上足够大的反向基极电流，迅速 抽取基区的