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第三章 太阳能电池的基本原理 本章以单晶硅pn结太阳能电池为例，介绍半导体太阳能电池的基本工作原理、结构及其特性分析。 一、太阳能电池的结构和基本工作原理 不锈钢衬底非晶硅太阳能电池的典型结构如图所示： 不锈钢衬底型太阳能电池是在不锈钢衬底上沉积pin非晶硅层，其上再沉积透明导电薄膜，最后与单晶硅电池一样制备梳状的银收集电极。电池电流从下面的不锈钢和上面的梳状电极引出。 等效电路是描述太阳能电池的最一般方法。1、理想pn结太阳能电池的等效电路 2、pn结太阳能电池的实际等效电路 实际上，pn结太阳能电池存在着Rs和Rsh的影响。其中， Rs是由材料体电阻、薄层电阻、电极接触电阻及电极本身传导电流的电阻所构成的总串联电阻。Rsh是在pn结形成的不完全的部分所导致的漏电流，称为旁路电阻或漏电电阻。这样构成的等效电路如右图所示。 影响开路电压的实际因素： 决定开路电压Voc大小的主要物理过程是半导体的复合。半导体复合率越高，少子扩散长度越短， Voc也就越低。体复合和表面复合都是重要的。在p-Si衬底中，影响非平衡少子总复合率的三种复合机理是：复合中心复合、俄歇复合及直接辐射复合。总复合率主要取决三种复合中复合率最大的一个。例如：对于高质量的硅单晶，当掺杂浓度高于1017cm-3时，则俄歇复合产生影响，使少子寿命降低。通常，电池表面还存在表面复合，表面复合也会降低Voc值。 （复合中心复合、俄歇复合、直接辐射复合和表面复合？） 用能带图描述pn结的光伏效应。并标示出光生电流和正向电流的方向。 你认为影响pn结太阳能电池转换效率的主要因素有哪些？试分析。 当光照较强时，二极管电流远大于漏电电流，此时，Rsh对光电池的影响较小，而相反的，Rs的影响就变大起来。 I = IL-Is{exp[q(V+RsI)/kT]-1} 右图给出了Rs对光电池输出特性的影响。可以看出光电池的输出特性随着Rs有着较大的变化，并且Rs对开路电压的影响几乎没有，但对短路电流却有很大的影响。 入射光功率一定（100mW/cm2)，并假设Voc=0.51V，Jsc = 30 mA/cm2，Rsh=∞。 由前面分析可知，当漏电电阻Rsh降到100欧姆以下时，对光电池的影响就不可忽略了。对于1cm2的硅电池，只要Rsh大于500欧姆，砷化镓电池Rsh大于1000欧姆时，对输出特性的影响就不重要了。另一方面，当总串联电阻Rs增加到5欧姆时，电池的转换效率就要下降30%，可见Rs的影响较大。最近对于硅电池，要求实用化的产品的Rs要在0.5欧姆以下。 四、太阳能电池转换效率的理论上限 1、太阳能电池的理论效率 太阳能电池的理论效率由下式决定： 当入射太阳光谱AM0或AM1.5确定以后，其值就取决于开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的最大值。 下面我们就来分别考虑开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的最大值。 短路电流Isc的考虑： 我们假设在太阳光谱中波长大于长波限的光对太阳能电池没有贡献，其中长波限满足： λmax = 1.24(μm)/Eg(eV) 而其余部分的光子，因其能量hν大于材料的禁带宽度Eg，被材料吸收而激发电子-空穴对。假设其量子产额为1，而且被激发出的光生少子在最理想的情况下，百分之百地被收集起来。在上述理想的假设下，最大短路电流值显然仅与材料带隙Eg有关，其计算结果如图所示。 Isc = IL 在AMO和AM1.5光照射下的最大短路电流值 开路电压Voc的考虑： 开路电压Voc的最大值，在理想情况下有下式决定： 式中IL是光生电流，在理想情况即为上图所对应的最大短路电流。Is是二极管反向饱和电流，其满足： Is = Aq(Dn/LnNA+Dp/LpND)ni2 ni2= NcNvexp(-Eg/kT) 显然， Is取决于Eg、Ln、Lp、NA、ND和绝对温度T的大小，同时也与光电池结构有关。为了提高Voc，常常采用Eg大，少子寿命长及低电阻率（例如对硅单晶片选用0.2欧姆厘米）的材料，代入合适的半导体参数的数值，给出硅的最大Voc值约700mV左右。 填充因子FF的考虑： 在理想情况下，填充因子FF仅是开路电压Voc的函数，可用以下经验公式表示： 这样，当开路电压Voc的最大值确定后，就可计算得到FF的最大值。 综合上述结果，可得到作为带隙Eg的函数的最大转换效率，其结果示于下图中。 对于单晶硅太阳能电池，理论上限是27%，目前研究得到的最大值为24%左右。GaAs 太阳能电池的转换效率的理论上限为28.5%，现在获得的最大值是24.7%。如何进一步提高太阳能电池的转换效率是当前的研究课题，这也就是所谓的高效率化技术的开