基于65nm工艺新型SRAM存储单元设计-电路与系统专业论文.docxVIP

目录目录 目录 目录 摘要 I Abs仃act ．．1I 目录 ．ⅡI 第1章绪论 ．1 1．1课题研究背景 ．．1 1．2国内外研究现状 ．1 1．3 MOS存储器的分类 3 1．4本文章节安排 ．5 1．5本章小结 ．．6 第2章传统SRAM单元架构及分析 7 2．1 SRAM总体结构 7 2．2传统六管SRAM存储单元 8 2．2．1电路结构 。8 2．2．2传统六管单元的工作原理 。9 2．2．3电路结构优缺点 12 2．3四管SRAM存储单元 ．12 2．3．1电路结构 12 2．3．2工作原理 12 2．3．3电路结构优缺点 13 2．4七管SRAM存储单元 ．13 2．4．1电路结构 13 2．4．2工作原理 ．14 2．4．3电路结构优缺点 15 2．5八管SRAM存储单元 ．15 2．5．1电路结构 15 2．5．2工作原理 16 2．6本章小结 17 第3章基于位交错结构的SRAM单元设计 。1 8 3．1 SRAM单元中软错误与位交错结构 18 3．1．1 SRAM单元中的软错误 18 Ⅲ 万方数据 基于65nm工艺新型SRAM存储单元设计3．1．2位交错结构 基于65nm工艺新型SRAM存储单元设计 3．1．2位交错结构 19 3．2位交错结构所产生的问题 21 3．2．1半选择破坏 2l 3．2．2半选单元的额外功耗 25 3．3解决半选问题的技术