第1章半导体二极管及应用电路.pptVIP

下一页 1.3.3 二极管电路的分析方法 3、 折线模型 二极管折线模型如图1.17所示。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压，约为0.5V（硅管）。至于的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，于是的值可计算如下： （1.3.2） 图1.17 二极管的折线模型 上一页 下一页 1.3.3 二极管电路的分析方法 4、二极管的小信号模型 图1.18 二极管的小信号模型 上一页 下一页 1.3.3 二极管电路的分析方法 如果二极管在图（a）中的静态工作点Q（ ）附近工作，则可把V-I 特性看成为一条直线，其斜率的倒数就是所要求的小信号模型的微变电阻 ， （1.3.3） 的数值可从二极管的V-I 特性表达式导出: （1.3.4） 取 对的 微分，可得 ： （在Q点上） 由此可得： (当T=300K时) 上一页 下一页 1.3.3 二极管电路的分析方法 5、模型方法的应用 上一页 例1.1 设二极管电路如图(a)所示，R =10kW，图(b)是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的ID和VD的值：（要求在每种情况下，分别应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解） （1）VDD=10V； （2）VDD=1V。 图1.