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4.4 结型场效应管 （2）高频模型 4.4 结型场效应管 2. 动态指标分析 （1）中频小信号模型 4.4 结型场效应管 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rD 由输入输出回路得 则 通常 则 例4.4.2 共漏极放大电路如图示。试求中频电压增益、输入电阻和输出电阻。 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 得 解： （1）中频小信号模型 由 例题 （4）输出电阻 所以 由图有 例题 3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： 4.4 结型场效应管 CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： 3. 三种基本放大电路的性能比较 4.4 结型场效应管 BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 解： 画中频小信号等效电路 则电压增益为 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 根据电路有 由于 则 {end} 场效应管的共源极放大电路 一、静态分析 求：UDS和 ID。 设：UGUGS 则：UG?US 而：IG=0 所以： UDD=20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k uo UDD=20V RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k 二、动态分析 s g R2 R1 RG RL d RL RD 微变等效电路 s g R2 R1 RG RL d RL RD ro=RD=10k? 例题：设 gm=3mA/V，?=50，rbe = 1.7k 前级:场效应管共源极放大器 后级:晶体管共射极放大器 求：总电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 +UCC RS 3M (+24V) R1 20k 10k C2 C3 R4 R3 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC T1 RE1 CE2 T2 CE1 RD 10k R2 1M （1）估算各级静态工作点: （略） （2）动态分析: 微变等效电路 首先计算第二级的输入电阻： ri2= R3// R4// rbe=82//43//1.7=1.7 k? R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s 第二步：计算各级电压放大倍数 R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s 第三步：计算输入电阻、输出电阻 ri=R1//R2=3//1=0.75M ? ro=RC=10k ? R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s 第四步：计算总电压放大倍数 Au=Au1Au2 =(-4.4) ?(-147) =647 R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s 作业：4.4.4；4.5.4 5.1.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频模型 （2）高频模型 2. 动态指标分析 （1）中频小信号模型 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rD 由输入输出回路得 则 通常 则 例4.4.2 共漏极放大电路如图示。试求中频电压增益、输入电阻和输出电阻。 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 得 解： （1）中频小信号模型 由 例题 （4）输出电阻 所以 由图有 例题 3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： 3. 三种基本放大电路的性能比较 BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 解： 画中频小信号等效电路 则电压增益为 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 根据电路有 由于 则 {end} 5.1 结型场效应管（JFET） *5.5 砷化镓金属-半导体场效应管 5.6 各种放大器件电路性能比较 5.4 MOSFET放大电路 5.2 JFET放大电路 BJT(Bipolar Junction Transistor)-电流对电流控制的器件、能放大电信号，而存在不足1)2),在大规模集成电路制造中存在瓶颈问题。 FET管[Field-ef