基准源及其缓冲器的设计-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的 地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不 包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中 作了明确的说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁 盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文 的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或 扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 万方数据 万方数据 摘要 摘要 集成电路正常工作时，需要一个基准源来为其提供电压或者电流。一般利用 芯片中的一部分子电路建立起基准，为芯片产生一个稳定的工作点。该工作点必 须保证不会因各种工作条件的变化而出现显著的改变。随着电子产品的系统越来 越复杂，集成度越来越高，对基准源性能的高要求的趋势将更加明显。电池供电 电路数量的持续增长，其高精度、低电流、低电压的工作特点，也是对基准源性 能要求提高的部分原因。本文设计了一款低输出电压、高电源电压抑制比、低温 度系数的基准电压源。同时，本文还设计了提高驱动能力的缓冲器。 本文根据实际各项设计指标，分别对电路如何得到低于 1V 的带隙基准、提高 电源电压抑制比、降低温度系数的方法给出设计方案。将低于 1V 输出电压结构与 提高电源电压抑制比的伪电压源相结合，并采用非线性补偿方式提高基准源的温 度特性，同时在输出端外接电容，改善高频段的电源电压抑制比和噪声性能。经 仿验证，输出电压为 0.9541V，电源电压抑制比的绝对数值达到 130dB，温度系数 为 0.8932ppm/oC，输出积分噪声（0.1Hz~100KHz）为 14μV。在缓冲器的设计中， 本文对传统的单纯有源缓冲器进行改进。通过外部接入无源大电容的方式，将有 源电路部分与无源电容相结合，共同驱动内部电路，稳定参考电压。经仿真验证， 稳定输出电压在 0.1mV 以内变化，精度小于 0.1%。 最后还对两个电路模块的电路进行版图设计。根据电路的参数，按照版图各 项绘制与验证标准，完成了版图的设计工作。 关键词： 基准电压源， 温度系数， 电源电压抑制比， 缓冲器 I ABSTRACT ABSTRACT The integrated circuits ultimately need a reference, to be it voltage, current. The reference establishes a stable point used by other sub-circuits. This reference point should not fluctuate significantly under various operating conditions. As more complex and more compact systems emerge, the tendency toward high performance is expected only to increase. The prerequisite for high performance is partially exemplified by the growing demand for battery-operated circuits, which calls for high accuracy as well as low current overhead and low voltage operation. A low output voltage, high PSRR and low temperature coefficient is proposed and analyzed. And a buffer is proposed for a better driving performance. According to the design of the actual index, a sub-1V circuit structure is proposed. With a pseudo-power supply and high order temperature compensation, the PSRR and the temperature co