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§3.1 概 述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0 负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 P沟道增强型MOS管的漏极特性 一、反向器（非门） 1.电压传输特性 2.电流传输特性 (二) 静态特性1.输入特性 2 .输出特性 (1) 输出低电平 (2) 输出高电平 （三）动态特性 1.传输延迟时间 2. 交流噪声容限 3.动态功耗 （三）漏极开路门电路（OD） （二） 输入特性 （三）输入端负载特性 （四）输出特性 例：计算G1能驱动的同类门的个数。设G1满足：VOH=3.2V, VOL=0.2V。 当 小于0.6V时 当 =1.4V时，T2、T5均已导通，T1基极电位被钳在2.1V而 不再随RP增加，因 此 也不再随RP增加。 当RP较小时，这是直线方程 返回 1.高电平输出特性 T4饱和前，VOH基本不随iL变，T4饱和后，VOH将随负载电流增加线性下降，其斜率基本由R4决定。 2.低电平输出特性 受功耗限制，74系列门输出高电平时最大负载电流不超过0.4mA。 T5饱和，c-e间等效电阻不超过10欧姆，因此直线斜率很小。 rce 16 解： N1=16/1 =16 G1输出低电平 G1输出高电平 G1输出高电平时，最大允许输出电流为0.4mA； 每个负载门输入电流为IIH,不超过0.04mA;故： N2= 0.4/0.04 =10 综合N1,N2,应取N=10 N称为门的扇出系数。 每个负载门电流 G1门电流 3.带缓冲级的CMOS门电路 特点：输出电阻恒为RON；输出电平和电压传输特性都不受输入状态影响。 3.漏极开路的门电路（OD门） 普通CMOS门不能接成线与形式。 线与是指具有高阻输出的器件（各类门电路），直接连接，自动完成与逻辑的功能的连接方式。 普通CMOS门不能接成线与形式。 OD门输出端只是一个N沟道管，因此可以按OC门的办法连成总线形式。 特点： VDD1和VDD2可取不同值； 允许灌入电流较大。如： CC40107在VOL0.5V的条件下，允许灌入的最大电流可达50mA。 ? CMOS传输门（TG） 栅极控制电压为互补信号，如C=0，C=VDD 工作原理： 当C = 0V， C= VDD时 TN和TP均截止，VI由0～VDD变化时，传输门呈现高阻状态，相当于开关断开， CL上的电平保持不变，这种状态称为传输门保存信息 当C = VDD， C= 0V时， VI在VT～VDD范围变化时TP导通 即VI在0～VDD范围变化时，TN、TP中至少有一只管子导通，使VO=VI，这相当于开关接通，这种状态称为传输门传输信息 VI由0～（VDD-VT）范围变化时TN导通 返回 CMOS电路 ? CMOS传输门（TG） 工作原理： 1、当C 为低电平时， TN、TP截止传输门相当于开关断开，传输门保存信息 2、当C为高电平时， TN、TP中至少有一只管子导通，使VO=VI，这相当于开关接通，传输门传输信息 由此可见传输门相当 于一个理想的开关，且是一个双向开关 逻辑符号 输入 输出 门控制信号 返回 CMOS电路 VGS(th)P VGS(th)N VDD 0V N沟道管导通 P沟道管导通 分析原理。先分析只有一个管时的情况： 单管工作的缺点是： 1.有死区； 2.导通电阻随输入电压变化很大。 采用双管可克服这些缺点。 双向模拟开关 5.三态输出门 三、双极型三极管的开关特性 双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳 基区薄 低掺杂 发射区高掺杂 集电区低掺杂 b e c e Rc Rb IEp ICBO IE IC IB IEn IBn ICn 以NPN为例说明工作原理： 当VCC VBB be 结正偏, bc结反偏 e区发射大量的电子 b区薄，只有少量的空穴 bc反偏，大量电子形成IC 发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。 电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流 Ibn，复合掉的空穴由 VBB 补充。 集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Icn。 其能量来自外接电源 VCC 。 1、三极管的输入特性曲线（NPN） VON ：开启电压 硅管，0.5 ~ 0.7V 锗管，0.2 ~ 0.3V 近似认为: VBE VON iB = 0 VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压，电阻决定 2、三极管的输出特性（NPN） 固定一个IB值，即得一条曲线， 在