晶体管原理及设计半导体器件答案.pptVIP

部 分 习 题 解 答;第 2 章; 3 、; 4 、; 6 、 ;; 8、(1);; (2);; 20、; 24、 PN 结的正向扩散电流为; 31、 当 N- 区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：; 34、; 39、;第 3 章; 2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图; 3、; 6、; 7、; 9 、;10、; 14、; 15、; 20、当忽略基区中的少子复合及 ICEO 时，;; 27、 实质上是 ICS 。; 使 NB NC ，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。; 48、; 58、;; 59、;65、; 68、;第 5 章; 3、;; 5、;6、;; 8、;13、