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实 验 报 告
姓 名:高阳 班 级:F0703028 学 号:5070309013 实验成绩:
同组姓名: 实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期:
光敏电阻基本特性的测量
【实验目的】
了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。
了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。
了解简单光路的调整原则和方法.
在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。
在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。
【实验原理】
1 光敏电阻的工作原理
在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为:Δσ=Δp×e×μp+Δn×e×μn
用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动化技术中.
本实验光敏电阻得到的光照Φ由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为α时,光照Φ为Φ=Φ0
2 光敏电阻的基本特性
光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。
3.附上实验中的光路图:
【实验数据记录、实验结果计算】
1测量光敏电阻的电压与光电流的关系
在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图:
表中记录的数据为Iph的值,单位为
α
U(V)
0
30
6
90
0
0.0
0.0
0.00
0.000
1
2.7
2.2
1.28
0.065
2
5.4
4.5
2.58
0.138
3
8.2
7.0
3.77
0.201
4
11.0
9.5
5.05
0.271
5
13.8
12.0
6.26
0.339
6
16.8
14.6
7.51
0.407
7
19.8
17.2
8.75
0.484
8
22.8
19.9
10.01
0.551
9
25.9
22.6
11.32
0.619
10
29.0
25.4
12.63
0.687
11
32.1
28.2
13.93
0.757
12
35.2
31.0
15.35
0.836
下面绘出各个照度对应的U~I
α=
线性拟合结果如下:
Y = A + B * X
Parameter Value Error
A 0.17952 0.05409
B 0.33977 0.00266
------------------------------------------------------------
R SD N P
0.99966 0.10544 3 0.0001
所以此时R=?339
α=
线性拟合结果如下:
Y = A + B * X
Parameter Value Error
A 0.25369 0.0669
B 0.38486 0.00376
R SD N P
0.99948 0.13157 13 0.0001
所以此时R=
α=
线性拟合结果如下:
Y = A + B * X
Parameter Value Error
A 0.0252 0.03197
B 0.78903 0.00358
R SD N P
0.99989 0.06117 13 0.0001
------------------------------------------------------------
所以此时R=
α=
线性拟合结果如下:
Y = A + B * X
Parameter Value Error
A 0.06568 0.02854
B 14.40637 0.05862
R SD N P
0.99991 0.05489 13 0.0001
所以此时
对上面实验结果的一点分析:
1. 可以发现,当α=90°时,即光照最弱时,光敏电阻的阻值很大,可达一万四千多欧姆,随着光照的加强时,光敏电阻的阻值在不断减小,在α=0°时,即在当时的最强光照时,光敏电阻的阻值已经降到了三百余欧姆,可见其变化幅度很大。据查资料显示,在完全黑暗时,
2. 还有重要的一点是,我们从“马吕斯定律”知道,这里光照强度与cosα2成正比,所以根据这几个数据点可以发现光敏电阻的阻值随光照强度的变化“似乎”不是线性的
2测量光敏电阻的照度与光电流的关系
首先调整好光路与电路,便可开始测量,整张数
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