CMOS集成电路的版图设计.pptVIP

第5章 CMOS集成电路的版图设计 主要内容 5.1 MOS 场效应管的版图实现 5.2 版图设计规则 5.3 版图系统的设置 5.4 版图的建立 5.5 版图的编辑 5.6 棍棒图 5.7 版图设计方法概述 集成电路的设计与制作 集成电路(Integrated Circuit，简称IC)就是将有源元件(二极管、晶体管等)和无源元件(电阻、电容等)以及它们的连线一起制作在半导体衬底上形成一个独立的整体。 集成电路的各个引出端就是该电路的输入, 输出, 电源和地。 集成电路的设计与制作 集成电路的设计流程 集成电路的设计与制作 例子 例子 例子 5.1 MOS 场效应管的版图实现 5.1.1 单个MOS管的版图实现 1. MOS管的结构和布局 2. 直线形排列的NMOS管 3. 源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active），而有源区之外的区域定义为场区（Fox)。有源区和场区之和就是整个芯片表面。 Fox + Active = Surface 习题. 什么是版图、版图设计？( P160. 1、2) 答：集成电路的制作是平面加工工艺，而芯片是立体结构。平面工艺到立体结构的实现，需要多层掩模版。每一层掩模版需要用一层版图来表示。版图是用二维图形表示电路的三维结构。 版图设计是完成集成电路加工所需的各个掩模版上的图形的设计。 习题. 简述MOS管的版图实现方法 (P160. 3） 答： 习题. 判断下列两图中MOS的类型与连接方式 (P160. 6） 答： 习题简述版图设计规则及其包含的内容（P160. 7、8） 答：根据工艺水平和经验积累，总结制定出的作为版图设计时必须遵循的一整套数据规则称为版图设计规则。在正常的生产条件下，即使出现光刻套准偏差、过腐蚀、硅片变形等工艺偏差情况，设计规则仍然可以保证电路芯片的正常加工制作以及正常工作。 版图设计规则一般都包含以下四种规则：(1) 最小宽度：金属、多晶、有源区或阱的尺寸都必须大于或等于设计规则中的最小宽度。(2) 最小间距：在同一层掩模（版图）上，图形之间的间隔必须大于或等于设计规则中的最小间距。 (3) 最小包围：N阱、N+离子注入和P+离子注入包围有源区应该有足够的余量，以确保即使出现光刻套准偏差时，器件有源区始终在N阱、N+离子和P+离子注入区范围内 。 (4) 最小延伸：某些图形重叠于其他图形之上 时，不能仅仅到达边缘为止，还应该衍生到边缘之外的一个最小长度。 习题P161.29 找出反相器版图中的错误， 说明错误原因，并将错误用数字标注于版图中。 6. 其它命令 (1）合并命令Edit→Merge＜M＞ 选中图形（图形高亮度），执行合并命令。 (2)切割命令 Edit→Other→Chop＜C＞ 例题：设计CMOS反相器版图（用1.5μm设计规则） 画版图步骤： 画P管有源区，如图(a）。 画多晶硅栅极：用矩形或等宽线。格点设置为每格0.5μm。 (a) 有源区矩形 (b) 用矩形画多晶栅极 (c) 用等宽线画多晶栅极 (3) 画源和漏区的接触孔。 ①在源区画一个1.5μm×1.5μm接触孔，孔至多晶栅距离为1.5μm，如图(a)。 ②拷贝其余的接触孔（图(b)）。 ③将源区3个接触孔一次全部拷贝到漏区，漏区接触孔至多晶栅间距为1.5μm。 (a) 先画一个尺寸和位置都正确的孔 (b) 拷贝生成其它的孔 ④ MOS管宽度(W)和长度(L)的决定：若已知W/L比值，则W=(W/L)×1.5μm。 (4) 在有源区外画P+注入矩形，最小包围为1μm。 (5) 画N阱，它对有源区的最小包围为2μm。完成的P管如图。 有源区 N阱 注入区 P管版图 (6) 用拷贝方法画N管：画选择框把P管的P+注入、有源区和接触孔图形都选中，竖直下拉至合适位置（有源区与N阱相距8.5μm）。 修改：① 在N管的源漏区分别去除一个接触孔： ② 向上移动有源区和P+注入层矩形的下边，使有源区覆盖接触孔0.8μm； ③ 把P+注入层改为N+注入； ④ 多晶栅极向下延伸至N管有源区外至少0.8μm。 (7) 连线。用Metal1层连接P管和N管的漏极作为反相器的输出，且用Metal1画电源线，如图(a)。