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半导体物理基础 (Fundamentals of Semiconductor Physics) ;半导体基本特性 与半导体有关的发现或发明 黄昆学术贡献简介 主要参考书目 成绩评定 上课要求;什么是半导体 电阻率范围是多少？ 更多表征半导体电特性的参数：导电率、迁移率、方阻、比接触阻抗等(对量的数据印象很重要！) 半导体最基本的两个特性 两种导电粒子：电子和空穴 “越干净”越难用 半导体物理突破(如诺贝尔奖)和工业(信息)发展， 量子力学应用成功的一个学科和产业;4;5;先在Bell实验室，后来在普林斯顿大学的P. W. Anderson(1923-2013)、J. H. Van Vleck(1899-1980)和英国剑桥大学卡文迪许教授、物理系主任的N. F. Mott(1905-1996,已故黄昆先生的博士老师)发现了磁性和无序体系(非晶半导体)中的电子结构，荣获1977年的诺贝尔物理学奖。莫特写了三本书：《原子的碰撞理论》、《金属与合金的电子理论》、《离子晶体中的电子过程》。这些书对黄昆先生选择他作为导师有直接影响。;7;1947年发明的锗点接触晶体管(当时又称固体放大器);1948年6月30日：正式对外公开(A spokesman claimed that “it may have far-reaching significance in electronics and