HMC832LP6GE寄存器编程快速指导.PDF

V.Mar-7,2013 产品应用指南 HMC832LP6GE 寄存器编程的快速指导 概述 HMC832LP6GE是Hittite Microwave公司继HMC830LP6GE之后推出的又一款 25MHz到 3GHz 的频率合成芯片。该芯片拥有单电源供电、宽带、超低噪声、超低杂散的特性，自 从发布以来受到了广大射频工程师的好评。但是很多用户也在不断抱怨“该器件的寄存器 过多， 《操作指南》过长，以至于编程无从下手”。本文旨在帮助广大用户采用最简单的 方法对HMC832LP6GE进行控制，实现常规功能。如需进一步了解这个器件的其它特殊的 功能，欢迎联系Hittite Microwave公司寻求技术支持：china@ HMC832LP6GE 与HMC830LP6GE 的主要区别 鉴于很多HMC832LP6GE 的客户之前使用过HMC830LP6GE，而且两个器件的封装和管 脚完全相同，因此本文首先需要介绍一下两个器件的最主要的区别。 1. HMC832LP6GE 不再需要两组电源：+5.5V 和+3.3V 。所有电源管脚仅需要单电源 供电：+3.3V ，电路设计简化。即便如此，VCO （VCC1 和 VCC2 ）和Charge Pump （VCCCP ）也应该在电路设计和 PCB 布局上做好充分地隔离，这是锁相环芯片应 用的通用法则。 2. HMC832LP6GE 通过程序控制可以实现两种工作模式：高性能模式、低电流模式。 如果关注降低功耗，推荐选用低电流模式。在图 1 中可以看到，在 1800MHz 单 端输出，增益为 0dB 时，两种模式的总电流差异为 30mA；如果是宽带设计，往 往关注积分相噪（积分抖动），推荐选用高性能模式。在图 2 中比较了两种工作 模式相位噪声的差异。在高性能模式下，VCO 远端（1MHz ）的相位噪声最大有 接近 10dB 的改善，对应的闭环宽带积分相噪（1KHz 到 100MHz）也有一定的改 善。 1 / 15 V.Mar-7,2013 产品应用指南 图1 ：两种工作模式的电流比较 图2 ：两种工作模式的相位噪声比较 3. HMC832LP6GE 的RF 输出功率的调节范围提高到 12dB，并且步进减小为1dB。有 利于在工作温度或者其它外围应用条件改变时，精确控制作为本振信号的功率， 或者作为时钟信号的幅度。 4. HMC832LP6GE 的RF 输出端可通过软件配置为单端或者差分结构。在单端输出的 2 / 15 V.Mar-7,2013 产品应用指南 条件下，可以选择 RFP 或者 RFN 作为输出管脚。（HMC830LP6GE 只能支持单端 RFN 作为输出。） 5. HMC832LP6G 在VCO 自动校准和频率锁定的过程中，VCO 的输出可以实现自动关 闭（Automatic Mute ）。这个功能的好处是，在频率切换的过程中没有RF 信号输 出，从而抑制不必要的干扰。 小数模式的控制方法介绍 应用条件：PFD = 61.44MHz, RF Out = 1055.2MHz