功率半导体器件测试用脉冲电流源的设计与实现.pdfVIP

功率半导体器件测试用脉冲电流源的设计与实现 随着大功率设备在工业控制领域持续发展，功率半导 体器件的功率水平也随之不断提高，从而给生产和测试带来 诸多挑战。本文对国内外脉冲功率技术进行深入研究，通过 电磁暂态分析软件对理论模型进行仿真以确定脉冲电流源 内部网络分布参数，详细描述脉冲电流源软硬件设计与实现 方法，最后对其输出特性进行验证。目前，该脉冲电流源在 IGBT大功率半导体器件测试中取得较好的效果。 【关键词】功率半导体器件 脉冲电流源 性能验证 1 引言 随着功率半导体器件的发展，绝缘栅双极型晶体管 （Insulated Gate Bipolar Transistor ， IGBT）因具有输入阻抗 高、开关损耗小、通断速度快、控制电路简单等特点，正在 逐步替代如 MOSFET、SCR、双极型达林顿管等功率器件，广 泛应用在可逆变电路、伺服控制系统、交流电机控制、不间 断电源、斩波电源等工业生产中，其性能是否优良直接关系 着工程的品质和成败。功率半导体器件相关参数的测试问题 已经成为功率半导体器件生产商、装备制造单位和计量校准 部门非常关注的问题。 在功率半导体器件实际测试过程中，当测试设备需要对 被测器件施加较大的功率时，被测器件因为芯片温升导致测 试数据漂移不稳定，甚至施加持续时间过长以致器件损坏。 为了减少温升带来的影响，国标规定了功率半导体器件参数 测试可采用脉冲测试法，即测试设备对被测器件施加满足功 率条件的瞬时单次脉冲信号，对半导体器件进行参数测试。 然而在国内功率半导体器件测试设备的市场中，国外进 口设备占据绝大部分，典型的设备有瑞士 LEMSYS SA公司针 对 IGBT测试的 TRds 系列。国内公司生产的测试设备在测试 范围和性能指标均与国外同类产品有一定差距。本文所研制 的脉冲电流源，能够满足国内大部分功率半导体器件测试时 的功率和指标要求。 2 系统总体结构 脉冲电流源采用模块化的设计结构，由高压充电单元、 充电保护单元、高压测量单元、 LC充放电网络、放电匹配单 元、脉冲检测单元和监测控制单元组成。总体结构如图 1 所 示。 脉冲电流源主要分成硬件和软件两个部分。由图 1 可以 看出，监测控制单元通过发送控制信号来控制高压充电单元 给 LC充放电网络供电，高压测量单元实时采集 LC充放电网 络电压幅值并反馈给监测控制单元。当电压采集值等于系统 设定值时，监测控制单元控制放电匹配单元释放电流，此时 脉冲检测单元将采集的脉冲电流信号传送到监测控制单元 进行显示。当人为操作不当使被测器件断路时，监测控制单 元启动放电保护单元，停止高压充电单元供电，待人为排除 断路情况后，监测控制单元关闭放电保护单元，准备对 LC 充放电网络进行充电。 3 系统设计与实现 3.1 理论模型仿真 常见的脉冲电流发生有两种实现形式，即传输线型和电 容充放电型。该系统选用电容充放电型来设计脉冲电流源的 LC充放电网络，其理论模型如图 2 所示。 其理论模型特征数据如以下公式所示。 若期待设计的脉冲电流源最大电流幅值为 3000A ，波形 持续 50us，上升及下降时间不超过 15us。为了得到平滑的脉 冲波形，设置 n=12 ，将负载阻抗 R=1?代入公式（ 5 ），得 LC 网络总电容 CΣ=27.27uF，平均每链电容为 2.27uF；想要得 到 300