4.1-4.3典型全控型电力电子器件.pptVIP

《电力电子技术》 功率一览表 器件名称 SIT 电力MOS IGBT SITH GTR MCT GTO 电压 1500V 1000V 2500V 4500V 1800V 3000V 6000V 电流 200A 100A 1000A 2200A 400A 1000A 6000A 《电力电子技术》 通态压降 器件名称 SIT 电力MOS IGBT SITH GTR MCT GTO 压降 7 11.2 3 4 2.5 1.1 2.2-3.5 《电力电子技术》 总览表 GTO GTR MOS IGBT 结构 多元集成4层AGK 多元集成3层GCE 多元集成3层GDS 多元集成GCE 控制方式 电流控制型 双极 电流控制型 双极 电压控制型 单极 电压控制型 复合型 特点 驱动电路复杂，导通压降低，开关速度低，可以承受大电压大电流 驱动电路复杂，导通压降低，开关速度低，可以承受大电压大电流 驱动电路简单，导通压降大，开关速度高，不可以承受大电压大电流 驱动电路简单，导通压降低，开关速度较快，可以承受大电压大电流 缺点 最大阳极电流 二次击穿 静电击穿 擎住效应 保护 缓冲电路 过压保护 静电保护 过流保护 电力电子技术 《电力电子技术》 小结 是一种压控型器件，用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，驱动功率小。 单极型器件，开关时间短，开关速度快，工作频率高。 不存在二次击穿 电流容量