GaN基PIN紫外光电探测器的设计.pptVIP

基本原理是光照射pn 结时，电子空穴对被内建电场分离，形成与入射光功率大小相关的光生电动势。当pn结短路时，产生光电流. 原理图如下: （前注入） 1：探测器的串阻RS: 根据探测器的I-V曲线 由公式（1）计算.（のv/のI) ×I=nKT/q+RS ×I (1) 2：量子效率η 3：响应度R 4：噪声等效功率（NEP) 5：探测率D 6：响应时间 7：探测灵敏度（D*) 8：探测器的噪声 前注入式： 为了保持晶格常数的匹配，获得高质量的晶体，选用与GaN晶格常数相同的几种合金来设计PIN探测器。 四元合金AIXlnyGazN晶格常数随组分的变化关系可表示为：a(AIXlnyGazN)=xa(AIN)+ya(lnN)+za(GaN) 如果a(AIXlnyGazN)= a(GaN) ，把AIN, lnN, GaN的晶格常数带入公式中得到：x:y=4.47:1 因此我们可得到相应的波长变化范围：365nm～278nm 根据设计的探测波段我们可以由合金禁带宽度的公式（没有考虑合金的弯曲系数）： Eg(AIXlnyGazN)=4.47yEg(AIN)+yEg(lnN)+(1-5.47y) Eg(GaN) 得出四元合金的组分为AI0. 22ln0.05Ga0.73N 三元合金AI0.813ln0.187N 根据光谱响应来计算探测器的厚度参数 计算模型：pin 表示入射光的功率，a表示吸收系数，A表示光敏面积，r表示表面反射率 wP wi wn 1：P型区光生载流子产生率G1(λ) 2：i-AIlnGaN有源层中的光生载流 子产生率G2(λ) 3：n-GaN的光生载流子产生率G3(λ)  光生电流计算公式（条件：小注入，短路，稳态，不计结区载流子复合）s1为表面复合速度，s2为异质结复合速率 光谱响应度公式：R=AJtot/pin 根据外延片的结构参数：s1=107cm/s,s2=104cm/s, Dn=52cm2/s,Dp=5.2cm2/s, Ln=0.721μm,Lp=0.228μm. ai≈an=a(λ） 可得出光谱响应度R与探测器的各层厚度关系。 可由光学知识计算出抗反射膜的厚度， 包含单层膜和双层膜的厚度。 * South China Normal University * South China Normal University * South China Normal University GaN基PIN紫外光电探测器的设计 1：波长在250nm～300nm的波段容易被探测。 2：军用领域：导弹发射的探测。 3：民用领域：火焰的探测和监控,UVA和 UVB区域的放射计量测定器等。 4：航空领域：飞行员的降落侍服系统。 紫外光电控测器的研究背景 紫外光电探测器的材料种类 中 高 中 中 高 低 价格 低 高 低 中 中 中 高 实用性 中 差 中 中 好 中 好 可靠性 好 中 好 好 差 中 差 紫外选择性 中 高 中 中 中 中 中 控测率 350-450 120-900 225 200-365 525 300-400 1100 截止波长（nm） Ⅱ/Ⅵ 光电发射型 金刚石 AlGaN GaP Sic si 1：光电导结构 2：PIN（PN)型结构 3：肖特基型结构 4：MSM结构 5：APD结构 紫外光电探测器的结构种类 光电导型探测器内部增益大,制作简单,但是它需要偏置,暗电流大,且速度慢。 肖特基势垒二极管虽然是潜在的最快的探测器,但由于其势垒高度比p-i-n小,漏电流较大;且其耗尽区较窄,在耗尽区外的光生载流子大部分复合对光电流没有贡献,效率低。 p-i-n型光伏特探测器能克服这些困难,它的有效区可以做的比较厚,使大部分光子在此区吸收;而且耗尽区内的高强电场把电子空穴对分离,快速扫入两边的掺杂区,能达到较高速度。 常见结构探测器的比较 GaN基材料结构与性能 1：p-GaN/i-AIGaN/n-GaN p-GaN/i-AIGaN/n-AIGaN (Cree公司） 2： p-AIGaN/i-GaN/n-GaN （Illinois大学） 3： p-GaN/i-GaN/n-AIGaN （北卡州立大学） 4：AIGaN/GaN超晶格PIN （台湾国立中央大学） 5：AIGaN PIN （Taxas)大学 6：GaN PI