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自强不息知行合一 自强不息 知行合一 PAGE 2 - 模拟电子技术笔记 Part 1 绪论常用半导体器件 1. 绪论：讲解了主要介绍的内容。 1.1 电子元器件（包括二极管，三极管，集成电路） 1.2 电子电路及其应用（放大，滤波，电源） 1.3 参考书：《模拟电子技术》 刘润华主编 2. 常用半导体器件 2.1 基本概念 半导体的导电特性介于导体和绝缘体之间，如锗，硅，砷化镓等； 完全纯净，结构完整的半导体晶体成为本征半导体，常温下其自由电子（即载流子，包括自由电子和空穴）很少，因此导电能力很弱；空穴的迁移是依靠吸引临近的电子来填补，从而实现空穴的移动的目的。温度越高其载流子浓度越高，导电能力也就越强。 半导体材料的外部特性：受到外界的热和光作用时，导电能力有明显变化；在半导体中掺入某些杂质则会改变其导电能力（载流子浓度增加）。 当掺入的杂质使自由电子浓度大大增加的半导体称为N（negative）型半导体（掺入五价的磷）；自由电子（多子）的浓度远远大于空穴（少子）的浓度。使空穴浓度增加的半导体成为P（positive）型半导体（掺入三价的硼）；空穴（多子）的浓度远远大于自由电子（少子）的浓度。 Part 2 2.2 PN结及其导电性 P型半导体和N型半导体的交界面处由于空穴和电子的扩散运动会形成内电场（方向由N到P，会抑制扩散运动，加强漂移运动），该区域为空间电荷区。 单向导电性：PN结加上正向电压（正向偏置），P区加正电压，N区加负电压，会有正向电流流过；反向偏置正好相反，没有电流在PN结流过。 PN结的伏安特性：当PN结加正向电压时，有电流流过，PN结两端有电压，此时电压与电流的关系为指数关系；当PN结接反向电压时，当方向电压小于UBR(方向击穿电压)时反向电流很小，但是当大于UBR时，会出现击穿电流。下图为PN结的伏安特性曲线图。其电压与电流的关系满足下式： I=Is(eu/UT-1)=Is(equ/kT-1) 势垒电容CT是在PN结反向偏置时起作用；扩散电容CD则是在PN结正向偏置是起作用。 2.3 半导体二极管（一个PN结） 硅二极管的死区电压为0.5V，导通压降0.6～0.7V；锗二极管的死区电压为0.1V，导通压降0.2～0.3V。 Part 3 参数：最大整流电流IF：长期连续工作允许通过的最大整流电流的平均值； 反向击穿电压UBR；最大反向工作电压URM=0.5UBR； 反向电流IR：硅二极管（nA级），锗二极管（uA级）； 正向压降UF：硅二极管（0.6～0.8V），锗二极管（0.2～0.3V）； 动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数；rd=△VF/△IF； 型号：（见上图） 当温度增加时，二极管的正向压降会减小； 二极管的理想模型：正向偏置时相当于开关闭合，反向偏置时相当于开关断开； 二极管的恒压降模型：当其正向导通时其两端电压恒定，硅二极管为0.7V，锗二极管的压降为0.3V；当反向时其电阻为无穷大。 稳压二极管：应用在反向击穿的特殊硅二极管；其主要工作在反向击穿区，应用时必须反接并串联一只电阻，电阻的作用是限流。 参数有：稳定电压VZ；动态电阻rZ （由反向特性来决定，越小稳压特性越好）； 最大耗散功率PZM=VZ×IZ，IZ为反向工作电流；最大稳定工作电流IZmax和最小稳定工作电流IZmin。 光电二极管：反向电流随光照强度的增加而上升，工作在反向区； 发光二极管：正向导通时会发出一定波长范围的光，工作在正向区； 2.4 半导体三极管（两个PN结，分为NPN型和PNP型） 三个极：发射极E（Emit），基极B（Base），集电极C（Collect）； Part 4 三极管内部电流分配（NPN型）：发射结正偏，集电极反偏； 共基极电流放大系数a（arf）：a=IC/IE；三极的电流关系为：IE=IB+IC； 三极管的放大作用（三种接法）： 其放大作用主要依靠其发射极电流能够通过基区传输然后到达集电区来实现的。 共基极电路是以发射极电流IE作为控制电流，优点信号源消耗的功率很小； 共射极电路是以基极电流IB作为控制电流，集电极电流IC为输出电流； 共发射极电流放大系数b（bata）：b=a/(1-a)=IC/IB，可以通过电流间的关系来推导出a与b的关系；共发射极电路不仅可以得到电压放大，而且也可以达到电流放大作用。 Part 5 三极管的特性曲线包括输入特性曲线(IB与UBE之间)和输出特性曲线(IC和UCE之间)； 输出特性曲线分为饱和区（Ic受Uce的显著控制区，发射结正偏集电结正偏或反偏电压很小），截止区（Ic接近零的区域，发射结集电结都反偏）和放大区（Ic平行于Uce轴的区域，发射结正偏集电