肖特基二极管的电流-电压特性测试分析.PDF

实验7 肖特基二极管的电流-电压特性测试分析 学习目标 1. 掌握肖特基二极管的工作原理 2. 掌握正向电流- 电压法和电容- 电压法测试肖特基二极管的势垒高度的二种方法 建议学时：3 学时 原理 肖特基二极管又名点接触二极管，它与PN 二极管具有类似的整流特性。一般出现在n 型半导体中，是由W W 的金属与半导体接触而成。 m s 在W W 时，当导带底电子向金属运动时必须越过的势垒的高度为qV =W -W ，金 m s D m s 属一侧的电子运动到半导体一侧也需要越过的势垒高度为q W - 在势垒区足够薄， m m 以至半导体中处于势垒边缘的能量足够高的电子能够不经碰撞地进入到金属中，这时，对其 电学特性起决定作用的是势垒高度。正偏下，半导体一侧的势垒高度随着偏压的增加而减少， 所以电压增加会使得电流增加。反偏下，半导体一侧的势垒高度随着偏压的增加而变高，而 金属一侧的势垒高度不变；在偏压很小时，只有极少量的电子会通过热运动的方式越过半导 体一侧的势垒进入金属，而在外电场作用下，电子是从金属流向半导体，所以电压增加会使 得电流（电流绝对值）略有增加；当电压值足够大（电压绝对值）时，主电流来自于从金属 流向半导体的电子，由于金属一侧的势垒高度不变，所以形成反向饱和电流。这就是肖特基 二极管的整流特性。 半导体内部的电子只要有足够的能量超越半导体一侧势垒的顶点，就可以自由地通过阻 挡层进入金属。同样，金属中能超越金属一侧势垒顶的电子也都能到达半导体内。对于Ge、 Si、GaAs 之类的半导体，由于具有较高的载流子迁移率，载流子的平均自由程较大，在室温 下，其肖特基势垒中的电流输运机构主要是多数载流子的热电子发射。所以，电流的计算归 结为热电子发射理论  qV    J J exp 1 （1） ST     kT     其中 * 2 qns （2 ） J ST A T exp( ) k T 0 称为饱和电流密度。 当载流子迁移率比较低，使得电子的平均自由程远小于势垒区的宽度时，电子通过势垒 区要发生多次碰撞，同时考虑漂移和扩散运动，这时需要用扩散理论     qV J J SD exp  1  （3 ）   k T 0     来描述。理想肖特基二极管的电流- 电压特性见图2-28 。 扩散理论和热电子发射理论具有类似的电流- 电压特性，只是具有不同的反向饱和电流， JSD 随电压变化，并不饱和。相对来说，热电子发射理论适用于高迁移率的半导体，电流值 受限于发射的电子数量；而扩散理论适用于低迁移率的半导体，电流值受限于载流子在耗尽 区的扩散和漂移运动。 对于实际的肖特基二极管，由于反偏和隧道效应会导致势垒高度降低，将出现反向电流 不饱和。肖特基二极管与PN 二极管有两个方