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第二节 半导体物理基础 半导体的特性 能带理论 热平衡载流子 非平衡载流子 载流子的运动 半导体对光的吸收 PN结与金属-半导体接触 导体、半导体和绝缘体 自然存在的各种物质，分为气体、液体、固体。 固体按原子排列可分为：晶体和非晶体 固体按导电能力可分为：导体、绝缘体和介于两者之间的半导体。 电阻率10-6 ~10-3欧姆?厘米范围内——导体 电阻率1012欧姆?厘米以上——绝缘体 电阻率介于导体和绝缘体之间——半导体 单晶与多晶 现代固体电子与光电子器件大多由半导体材料制备，半导体材料大多为晶体（晶体中原子有序排列，非晶体中原子无序排列。）晶体分为单晶与多晶： 单晶——在一块材料中，原子全部作有规则的周期排列。 多晶——只在很小范围内原子作有规则的排列，形成小晶粒，而晶粒之间由无规则排列的晶粒界隔开。 一、半导体的特性 负温度系数，对温度变化非常敏感-----根据这一特性，热电探测器件。 导电特性受掺杂影响显著 导电能力受热、光、电、磁影响显著 能级--能带 晶体中大量的原子集合在一起，原子之间距离很近，以硅为例，每立方厘米的体积内有5×1022个原子，原子之间的最短距离为0.235nm。因此电子云层中离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去。电子的共有化使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 绝缘材料SiO2的Eg约为5.2eV，导带中电子极少，所以导电性不好，电阻率大于1012Ω·cm。 半导体Si的Eg约为1.1eV，导带中有一定数目的电子，从而有一定的导电性，电阻率为10-3～1012Ω·cm。 金属的导带与价带有一定程度的重合，Eg=0，价电子可以在金属中自由运动，所以导电性好，电阻率为10-6 ～ 10-3Ω·cm。 (3) 掺杂对半导体导电性能的影响 半导体中不同的掺杂或缺陷都能在禁带中产生附加的能级，价带中的电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁到导带中去，要比电子直接从价带跃迁到导带容易得多。因此虽然只有少量杂质，却会明显地改变导带中的电子和价带中的空穴数目，从而显著地影响半导体的电导率。 EF 的位置 本征半导体： EF位于禁带中心位置 N型半导体： 极低温度下，EF位于施主 能级和导带低的正中间，随着温度升 高，向本征费米能级靠近。 P型半导体: 极低温度下，EF位于受主 能级和价带顶的正中间，随着温度升 高，向本征费米能级靠近。 在光照过程中，产生与复合同时存在，在恒定持续光照下产生率保持在高水平，同时复合率也随非平衡载流子的增加而增加，直至二者相等，系统达到新的平衡。当光照停止，光致产生率为零，系统稳定态遭到破坏，复合率大于产生率，使非平衡载流子浓度逐渐减少，复合率随之下降，直至复合率等于热致的产生率时，非平衡载流子浓度将为零，系统恢复热平衡状态。 三种复合机制： 直接复合：导带中电子直接跳回到价带，与价带中的空穴复合。 复合中心复合：复合中心指禁带中杂质及缺陷。过程包括两步：电子由导带落入复合中心；再有复合中心落入价带中的空穴。 表面复合：材料表面在研磨、抛光时会出现许多缺陷与损伤，从而产生大量复合中心。发生于半导体表面的复合过程称为表面复合。 产生与复合 在非平衡状态下载流子浓度为： n＝n0+Δn p＝p0+Δp Δn≈Δp n：半导体中电子的浓度 p：半导体中空穴的浓度 n0：光照前一定温度下热平衡时电子的浓度 p0：光照前一定温度下热平衡时空穴的浓度 Δn：非平衡载流子电子的浓度 Δp：非平衡载流子空穴的浓度 对于N型半导体 n0 ? p0 满足 ???? np ?n0p0＝ni2 ??????? n0 Δn＝Δp 条件的注入称为强光注入； 满足 ???? np n0p0＝ni2 ??????? n0 Δn＝Δp 条件的注入称为弱光注入。 对于弱光注入 ????n=n0+Δn≈n0 ????p=p0+Δp≈Δp 此时受影响最大的是少子浓度，可认为一切半导体光电器件对光的响应都是少子行为。 陷阱效应 半导体中的杂质除了决定材料的导电性质和影响非平衡载流子的复合作用外，还有一种重要的作用，即陷阱效应。 陷阱效应的大小 陷阱能级和费米能级重合时，陷阱效应最显著。 费米能级之上的陷阱，电子的陷阱能级越深越有效 扩散+漂移 在扩散与漂移同时存在的情况下，扩散系数D（D表示扩散的难易）与迁移率μ（μ表示迁移的快慢）之间有爱因斯坦关系式：D=(kT/q)μ D与μ成正比。 kT/q为比例系数，室温下为0.026V。 结论： 1、电子