半导体放电管检测测试方法1.docVIP

PAGE PAGE 1 半导体放电管检测要求及测试方法 1　本要求遵循的依据 1.1　YD/T940— 1.2　YD/T694—2004 1.3　GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》 2　测试前准备及测试环境条件 2.1　对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。 2.2　在标准大气条件下进行试验 2.2.1　温度：15～ 2.2.2　 2.2.3　 所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行： 温度：25±5℃ 相对湿度：45％～47％ 大气压力：86～106Ｋpa 在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。 2.3　按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。 3　检测要求和测试方法 3.1　外形检查 3.1.1　 3.1.2　 3.1.3　外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥ 3.1.4　 3.1.5　 3.2　直流击穿电压测试 3.2.1　 3.2.1　半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μ 3.2.3　 图 1 电压上升速率的范围 a) 电压上升速率为100KV/S 注：为了得到足够的试验电流以使样品击穿，图（a）中的电阻R和图（b）中的电阻R4可能需要进行调整，一般取为50Ω。 图 2 最高限制电压测试电路 　　　　　　　 表　　1 　　最高限制电压 电压上升速率 100 KV／S 1 KV／μs 最高限制电压上限 260V 400V 3.2.4　试验电路如图3所示。半导体管的不动作电压应不大于表２给出的最大值，用发生器提供100 KV／S的斜角波电压，回路电流通过监测1KΩ SKIPIF 1 0 图 3 不动作电压测试电路 表　2 　不动作电压 最大斜角波峰值电压 标称值 允许电流最大值 190V 1.0 KΩ 1mA 3.2.5　直流放电电压应在190— 数据区间：U＋3S≤260，U－3S≥99.7%。 3.3　绝缘电阻或漏电流测试 用绝缘电阻测试仪对已经上几项试验并合格的试样测试其两极间的绝缘电阻，与测试无关的端子应悬浮放置，测试时按表３规定的直流测试电压，正负极性各测试一次，绝缘电阻的值应在稳定之后或加电压1min后读取，测试结果应达到国标一等品的要求：极间绝缘电阻值应≥1000MΩ。 表 3 绝缘电阻或漏电流 直流测试电压 初 测 复 测 绝缘电阻最小值 漏电流最大值 绝缘电阻最小值 漏电流最大值 100V 1×109Ω 0.1μA 1×108Ω 1μA 注：　　复测是指破坏性试验后进行的测试。 3.4　极间电容测试 极间电容应在半导体管的任意两个端子之间测试，所有与测试无关的端子应连接到测试设备的接地端子上。测试频率应为１MHZ，测试电压应为0.5V（有效值），半导体管任意两个极之间的电容量应小于200pF。 3.5　冲击恢复时间测试 试验电路如图4所示。试验使用的冲击电流发生器短路电流波形应为10/100μS或10/700μS，峰值为25A，开路电压应不低于1KV，冲击电流极性应和直流电源相同，正负极性交替试验各进行2次，试验间隔时间为20s，样品应在30ms内恢复到高阻状态。 SKIPIF 1 0 PS1—恒定电压源 R2—模拟回路电阻的可选电阻器 E1—隔离放电间隙或等效装置 R3—直流限流电阻 C1—模拟应用条件的可选电容器 D1—隔离二极管 R1—冲击限流电阻或波形形成网络 图 4 冲击恢复时间试验电路 3.6　电流变化率效应测试 试验电路如图5所示。半导体管上施加的冲击电流变化率（di/dt）最大值应落在25A/μs～30A/μs的范围内，正负极性各试验一次，间隔时间应不小于30s，半导体管上的电压应不大于400V，试验后复测绝缘电阻或漏电流应符合表3的要求。 SKIPIF 1 0 PS—1KV直流电源，满载情况下，负载波纹和输出调整应不大于3.0% R1—50KΩ充电限流电阻 C—1.0μF充电电容器（非电解） S—放电启动开关 R2—放电限流电阻（20Ω） L—放电回路总电感，约20μH至20μH 注：为了得到25至30A/μS的电流上升速率，放电回路电感可能需要调整，在进行试验前先用短路线替代样品进行调整