半导体材料4讲--晶体生长.ppt

半导体材料;第三章 晶体生长;晶体生长理论基础;天然晶体的生长;2. 由液相转变为固相： 1.从熔体中结晶,即熔体过冷却时发生结晶现象，出现晶体； 2.从溶液中结晶,即溶液达到过饱和时，析出晶体； 3.水分蒸发，如天然盐湖卤水蒸发，盐类矿物结晶出来；通过化学反应生成难溶物质。 ;3．由固相变为固相：;3．由固相变为固相：;晶体形成的热力学条件;晶体形成的热力学条件;晶体形成的热力学条件;概括来说， 气－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和蒸气压。 液－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和度。 固－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过冷度。　　　　　　　　　　　;晶核的形成;晶核的形成;晶核的形成;晶核的形成;气相中的均匀成核;气相中的均匀成核; 晶体熔化后的液态结构是长程无序的，但在短程范围内却存在着不稳定的接近于有序的原子集团，它们此消彼长，出现结构起伏或叫相起伏。 ; 当温度降到结晶温度时，这些原子集团就可能成为均匀形核的“胚芽”，称为晶胚；其原子呈晶态的规则排列，这就是晶核。 ;经典成核理论;经典成核理论;经典成核理论;经典成核理论;经典成核理论;1、表面自由能大于0 2、体积自由能小于0。 ;在晶胚生长初期，表面能△GS大于体积自由能△GV，二者之和为正，所以晶胚的体系自由能△G增大。;因为△GV比表面能△GS的变化快，所以△G增加到极大值△G*后就会开始下降，与△G* 相对应的晶胚半径称临界半径r*。;此后，再随着晶胚半径r的增大， △G逐渐减小至0，此时对应的晶胚半径称稳定半径 r0。;当rr*时，晶胚难以生成，消失的机率大于长大的机率。 随着r的增大，体系的自由能增加，体系更不稳定。;当rr*时，体系的自由能增加，晶胚难以生成，即消失的机率大于长大的机率。 当r=r*时，体系自由能不再增大，晶胚长大的机率与消失的机率相等。 当rr*时，体积自由能占主导地位，r增大能使体系自由能降低。但如果rr0 则体系的ΔG仍大于0，晶胚不稳定。 当rr0时， 随着r的增大，ΔG减小，且ΔG0，晶胚能稳定长大成为晶核。;当rr*时，体系的自由能增加???晶胚难以生成，即消失的机率大于长大的机率。 当r=r*时，体系自由能不再增大，晶胚长大的机率与消失的机率相等。 当rr*时，体积自由能占主导地位，r增大能使体系自由能降低。但如果rr0 则体系的ΔG仍大于0，晶胚不稳定。 当rr0时， 随着r的增大，ΔG减小，且ΔG0，晶胚能稳定长大成为晶核。;当rr*时，体系的自由能增加，晶胚难以生成，即消失的机率大于长大的机率。 当r=r*时，体系自由能不再增大，晶胚长大的机率与消失的机率相等。 当rr*时，体积自由能占主导地位，r增大能使体系自由能降低。但如果rr0 则体系的ΔG仍大于0，晶胚不稳定。 当rr0时， 随着r的增大，ΔG减小，且ΔG0，晶胚能稳定长大成为晶核。;按半径的大小r*rr0的晶胚称亚稳晶核，rr0的晶胚称稳定晶核，r=r*的晶胚称临界晶胚(核)。;实际应用： 体系的过饱和度、过冷度越大，相应的△GV就大，进而造成r*， △G*小。 如要生长大的单晶，则希望r*尽可能的大，所以要求体系的过饱和度、过冷度尽可能的小。 如要生长微晶，则希望r*尽可能的小，则要求体系的过饱和度、过冷度尽可能的大。;晶体生长 的一般过程是先生成晶核，而后再长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段： ①介质达到过饱和、过冷却阶段； ②成核阶段； ③生长阶段。 关于晶体生长的有两个理论：1.层生长理论；2.螺旋生长理论。 当晶体生长不受外界任何因素的影响时，晶体将长成理想晶体，它的内部结构严格的服从空间格子规律，外形应为规则的几何多面体，面平、棱直，同一单形的晶面同形长大。 实际上晶体在生长过程中，真正理想的晶体生长条件是不存在的，总会不同程度的受到复杂外界 条件的影响，而不能严格地按照理想发育。 ;晶体长大的动力学模型; 此模型假定晶体是理想完整的，并且界面在原子层次上没有凹凸不平的现象，固相与流体相之间是突变的，这显然是一种非常简单的理想化界面，与实际晶体生长情况往往有很大的差距;如图： K为曲折面，有三角面凹入角，是最有力的生长部位； S是阶梯面，具有二面凹入角的位置； A是最不利于生长的部位。 ;所以晶体在理想情况下生长时，先长一条行列，然后长相邻的行列。在长满一层面网后，再开始长第二层面网。晶面是平行向外推移而生长的。 ;层生长理论的局限： 按层生长理论，晶体在气相或在溶液中生长时，过饱和度要达到25%以才能生长，而且生长不一定会连续 实际上，某些生长体系，过饱和度仅为2%时，晶体就能顺利生长 ;螺旋生长理论（Frank F.C. 1949)：在 晶体生长