半导体材料-晶体生长.pptxVIP

第三章 晶体生长;晶体材料在功能材料中占有重要地位，这是由于它具有一系列独特的物理性能所决定的。 常见的晶体材料有：;（1）激光晶体;Nd:YVO4 Crystal;A）基质晶体（载体）中掺入激活离子（发光中心Nd3+，Cr3+ ，Ho3+ ，Dy2+ ）。输出的波长从紫外（?0.17?m）到中红外（?5.15 ?m ）。如：红宝石Al2O3:Cr3+，掺钕钇铝石榴石YAG:Nd3+等。;（2）非线性光学晶体;;应用 激光频率转换、四波混频、光束转向、图象放大光信息处理、激光对抗和核聚变等研究领域。 现状： 我国该领域领先 ;（3）电光晶体;要求： 在使用的波长范围内，对光的吸收和散射要小、电阻率要大、介电损耗角要小、化学稳定、机械和热性能好、半波电压低等。 ;（4）声光晶体;（5）磁光晶体;（6）热释电晶体;（7）压电晶体;（8）闪烁晶体;（9）半导体晶体;（10）薄膜晶体;（11）……晶体;??体生长方法分类;;2. 晶体生长方法发展动向;3. 晶体生长研究方法 晶体生长研究方法同其它材料的研究方法相同，除了严格控制晶体生长原材料之外，对晶体的结构、晶体的生长方法和晶体的性质进行研究是晶体生长研究的重点。由此可见：研究晶体生长必然以 （1）晶体生长 （2）晶体物理 （3）晶体化学 为基础。 简言之：;晶体生长;1.4 材料科学研究与发展方向 （1）材料复合化 （2）纳米材料 （3）智能材料 （4）生物医学材料 （5）C60系列材料;1.晶体生长的一般方法;(1)固相生长:固体?固体;(2)液相生长:液体?固体;(3)气相生长:气体?固体;天然晶体的生长;2. 由液相转变为固相： 1.从熔体中结晶,即熔体过冷却时发生结晶现象，出现晶体； 2.从溶液中结晶,即溶液达到过饱和时，析出晶体； 3.水分蒸发，如天然盐湖卤水蒸发，盐类矿物结晶出来；通过化学反应生成难溶物质。 ;3．由固相变为固相：;3．由固相变为固相：;概括来说， 气－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和蒸气压。 液－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和度。 固－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过冷度。　　　　　　　　　　　;3.晶核的形成;在母相中形成等于或超过一定临界大小的新相晶核的过程称为“形核” 形成固态晶核有两种方法， 1) 均匀形核，又称均质形核或自发形核。 2) 非均匀形核，又称异质形核或非自发形核。 均匀形核：当母相中各个区域出现新相晶核的几率相同，晶核由液相中的一些原子团直接形成，不受杂质粒子或外来表面的影响，这种形核叫均匀形核，又称均质形核或自发形核 非均匀形核：若新相优先在母相某些区域中存在的异质处形核，即依附于液相中的杂质或外来表面形核，则称为非均匀形核。又称异质形核或非自发形核 ;一般规律;气相中的均匀成核;晶体熔化后的液态结构是长程无序的，但在短程范围内却存在着不稳定的接近于有序的原子集团，它们此消彼长，出现结构起伏或叫相起伏。 当温度降到结晶温度时，这些原子集团就可能成为均匀形核的“胚芽”，称为晶胚；其原子呈晶态的规则排列，这就是晶核。 ;1.单个晶核的形成;; 能量变化;结晶驱动力;在一定过冷度下，ΔGV为负值，而σ恒为正值。可见晶体总是希望有最大的体积和最小的界面积。设ΔGV和σ为常数，最有利的形状为球。设球的半径为r，有;1)晶核形成时,系统自由能变化组成;0 ?r ?r* r ?, △G ? 消失几率?长大几率 ?晶核不能长大 r =r* (临界半径) △G= △G max= △G * 消失几率=长大几率 临界状态 r* ?r ?r0 r ?, △G ? 消失几率?长大几率 自发长大,但晶胚不稳定 r ? r0 △G ?0, 消失几率?长大几率 晶胚稳定长大形成晶核 ;2)按照r大小,晶核的分类;3)临界晶核半径r* ;影响临界晶核半径的因素;4)形核功;△G *=4?r*2 σ/3 = △GS/3 即 临界状态下,体系自由能正好是表面能的1/3 ;结论:;2.多个晶核生长;二 非均匀成核(非自发成核);非均质形核临界晶核半径与均质形核完全相同。;接触角对成核位垒的影响;影响非均匀形核的因素;三 晶核的长大 ;2 液固界面微结构 粗糙界面：界面固相一侧的点阵位置只有约50%被固相原子所占据，形成坑坑洼洼、凹凸不平的界面结构。 粗糙界面也称“非小晶面”或“非小平面”。 光滑界面：界面固相一侧的点阵位置几乎全部为固相原子所占满，只留下少数