半导体物理器件 hapter 7.ppt

7.1 半导体中的光吸收 假设半导体被一光子能量 大于禁带宽度的光源均匀照射。光子通量为 。 图7-1 从紫外区到红外区的电磁波谱图 7.1 半导体中的光吸收 7.1 半导体中的光吸收 7.2 P-N结的光生伏特效应 P-N结光生伏特效应就是半导体吸收光能后在P-N结上产生光生电动势的效应。光生伏打效应涉及到以下三个主要的物理过程： 第一、半导体材料吸收光能产生出非平衡的电子—空穴对； 第二、非平衡电子和空穴从产生处向非均匀势场区运动，这种运动可以是扩散运动，也 可以是漂移运动； 第三、非平衡电子和空穴在非均匀势场作用下向相反方向运动而分离。这种非均匀势场 可以是结的空间电荷区，也可以是金属—半导体的肖特基势垒或异质结势垒等。 7.2 P-N结的光生伏特效应 7.2 P-N结的光生伏特效应 7.2 P-N结的光生伏特效应 教学要求 掌握概念：光生伏特效应、暗电流 分析了PN结光生伏特效应的基本过程 利用能带图分析光生电动势的产生 解释短路光电流公式（7-5）的含义 暗电流是怎么产生的？能否去除？ 7.3 太阳电池的I-V特性 7.3 太阳电池的I-V特性 7.3 太阳电池的I-V特性 7.3 太阳电池的I-V特性 7.3 太阳电池的I-V特性 7.3 太阳电池的I-V特性 教学要求 画出理想太阳电池等效电路图 根据电池等效电路图写出了太阳电池的I－V特性方程（7-6） 了解太阳电池的I-V特性曲线（图7.7），根据太阳电池的I－V特性方程解释该曲线所包含的物理意义。 画出实际太阳电池等效电路图根据等效电路图写出I－V特性方程（7-11） 7.4 太阳电池的效率 7.4 太阳电池的效率 7.4 太阳电池的效率 教学要求 了解概念：转换效率、占空因数 导出太阳电池的最大输出功率公式（7-18）。 7.5 光产生电流和收集效率 7.5 光产生电流和收集效率 7.5 光产生电流和收集效率 7.5 光产生电流和收集效率 7.5 光产生电流和收集效率 7.5 光产生电流和收集效率 7.5 光产生电流和收集效率 7.6 提高太阳电池效率的考虑 7.6 提高太阳电池效率的考虑 7.6 提高太阳电池效率的考虑 7.6 提高太阳电池效率的考虑 7.6 提高太阳电池效率的考虑 7.6 提高太阳电池效率的考虑 7-9 光电二极管 7-9 光电二极管 在长距离的光纤通信系统中多采用 的双异质 结P-I-N光电二极管中，P-InP的禁带宽度为1.35eV，对波长大于 的光不吸收。 的禁带宽度为0.75eV（对应截止时波长 ），在 波段 上表现出较强的吸收。这样，对于光通信的低损耗波段，光吸收只发生在I层，完全消了扩散电流的影响，几微米厚的I层，就可就可以获得很高的响应度。具有良好的频率响应。 7-9 光电二极管 教学要求 了解光电二极管的工作原理。 了解P-I-N光电二极管的工作原理的基本结构、能带图和工作原理。 P-I-N光电二极管中。I层的作用是什么？ 光电二极管中有哪两种电流？它们的形成机制和特点是什么？ 7.10 光电二极管的特性参数 7.10 光电二极管的特性参数 7.10 光电二极管的特性参数 7.10 光电二极管的特性参数 响应速度（带宽）主要受下列三个因素的控制： （1）载流子的扩散。在耗尽层外边产生的载流子必须扩散到P-N结，这将引起可观的时间延迟。为了将扩散效应减到最小，P-N结尽可能接近表面。 （2）在耗尽层内的漂移时间。这是影响带宽的主要因素。减少耗尽层渡越时间要求耗尽层要尽可能地窄。但耗尽层太窄会使器件吸收光子减小而影响响应度。 7.10 光电二极管的特性参数 7.10 光电二极管的特性参数 噪声特性 噪声是信号上附加的无规则起伏。它可使信号变得模糊甚至被淹没。散粒噪声：是由一个个入射光子产生的不均匀的或杂乱的电子?空穴对引起的。也就是说是由通过器件的粒子（电子或空穴）数无规则起伏引起的。分析表明，探测器散粒噪声电流即均方根噪声电流由下式估算。 式中 为电流强度， 为测量的频率范围即带宽。 7.10 光电二极管的特性参数 7.10 光电二极管的特性参数 7.10 光电二极管的特性