半导体器物理教学内容和要点.docVIP

教学内容和要点 半导体物理基础 第二节 载流子的统计分布 一、能带中的电子和空穴浓度 二、本征半导体 三、只有一种杂质的半导体 四、杂质补偿半导体 第三节 简并半导体 一、载流子浓度 二、发生简并化的条件 第四节 载流子的散射 一、格波与声子 二、载流子散射 三、平均自由时间与弛豫时间 四、散射机构 第五节 载流子的输运 一、漂移运动 迁移率 电导率 二、扩散运动和扩散电流 三、流密度和电流密度 四、非均匀半导体中的自建场 第六节 非平衡载流子 一、非平衡载流子的产生与复合 二、准费米能级和修正欧姆定律 三、复合机制 四、半导体中的基本控制方程：连续性方程和泊松方程 第二章 PN结 第一节 热平衡PN结 一、PN结的概念：同质结、异质结、同型结、异型结、金属－半导体结 突变结、缓变结、线性缓变结 二、硅PN结平面工艺流程 （多媒体演示 图2.1） 三、空间电荷区、内建电场与电势 四、采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释PN结空间电荷区形成的过程 五、利用热平衡时载流子浓度分布与自建电势的关系求中性区电势 及PN结空间电荷区两侧的内建电势差 六、解poisson’s Eq 求突变结空间电荷区内电场分布、电势分布、内建电势差和空间电荷区宽度 （利用耗尽近似） 第二节 加偏压的结 一、画出热平衡和正、反偏压下PN结的能带图，定性说明PN结的单向导电性 二、导出空间电荷区边界处少子的边界条件，解释PN结的正向注入和反向抽取现象 第三节 理想结的直流电流-电压特性 一、解扩散方程导出理想PN结稳态少子分布表达式，电流分布表达式，电流－电压关系 二、说明理想PN结中反向电流产生的机制（扩散区内热产生载流子电流） 第四节 空间电荷区的复合电流和产生电流 一、复合电流 二、产生电流 第五节 隧道电流 一、隧道电流产生的条件 二、隧道二极管的基本性质（多媒体演示 Fig2.12） 第六节 特性的温度依赖关系 一、反向饱和电流和温度的关系 二、特性的温度依赖关系 第七节耗尽层电容，求杂质分布和变容二极管 一、PN结C-V特性 二、过渡电容的概念及相关公式推导 求杂质分布的程序（多媒体演示 Fig2.19） 三、变容二极管 第八节 小讯号交流分析 一、交流小信号条件下求解连续性方程，导出少子分布，电流分布和总电流公式 二、扩散电容与交流导纳 三、交流小信号等效电路 第九节 电荷贮存和反响瞬变 一、反向瞬变及电荷贮存效应 二、利用电荷控制方程求解 三、阶跃恢复二极管基本理论 第十节 P-Ｎ结击穿 一、PN结击穿 二、两种击穿机制，PN结雪崩击穿基本理论的推导 三、计算机辅助计算例题2－3及相关习题 第三章 双极结型晶体管 第一节双极结型晶体管的结构 一、了解晶体管发展的历史过程 二、BJT的基本结构和工艺过程（多媒体 图3.1）概述 第二节 基本工作原理 一、理想BJT的基本工作原理 二、四种工作模式 三、放大作用 （多媒体Fig3.6） 四、电流分量 （多媒体Fig3.7） 五、电流增益 （多媒体Fig3.8 3.9） 第三节 理想双极结型晶体管中的电流传输 一、理想BJT中的电流传输：解扩散方程求各区少子分布和电流分布 二、正向有源模式 三、电流增益～集电极电流关系 第四节 爱拜耳斯-莫尔（）方程 一、四种工作模式下少子浓度边界条件及少子分布 二、E-M模型等效电路 三、E-M方程推导 第五节 缓变基区晶体管 一、 基区杂质浓度梯度引起的内建电场及对载流子的漂移作用 二、少子浓度推导 三、电流推导 四、基区输运因子推导 第六节 基区扩展电阻和电流集聚 一、基区扩展电阻 二、电流集聚效应 第七节 基区宽度调变效应 一、基区宽度调变效应 （EARLY效应） 二、hFE和ICE0的改变 第八节 晶体管的频率响应 一、基本概念：小信号共基极与共射极电流增益（，hfe）， 共基极截止频率和共射极截止频率（Wɑ ,W?）,增益－频率带宽或称为特征频率（WT）， 二、公式（3－36）、（3－65）和（3－66）的推导 三、影响截止频率的四个主要因素：τB 、τE 、τC 、τD及相关推导 四、Kirk效应 第九节 混接型等效电路 一、参数：gm 、gbe 、CD 的推导 二、等效电路图（图3－23） 三、证明公式（3－85）、（3－86） 第十节 晶体管的开关特性 一、开关作用 二、影响开关时间的四个主要因素：td 、tr 、tf 、ts 三、解电荷控制方程求贮存时间ts 第十一节 击穿电压 一、两种击穿机制 二、计算机辅助计算：习题 阅读 §3.12 、§3.13 、§3.14 第四章 金属—半导体结 第一节肖特基势垒 一、肖特基势垒的形成 二、加偏压的肖特基势垒 三、M－S结构的C-V特性及其应用 第二节 界