集成于无源RFID标签芯片的CMOS温度传感器设计-电子与通信工程专业论文.docxVIP

集成于无源RFID标签芯片的CMOS温度传感器设计-电子与通信工程专业论文.docx

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DESIGN A CMOS TEMPERATURE SENSOR INTEGRATED IN PASSIVE RFID TAG CHIPA Thesis Submitted toUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaMajor:Electronics and Communications Engineering Author:Zuyong Jian Advisor: Hongxi XueSchool :School of Electronic Engineering独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。作者签名:简足勇日期: 2013 年 05 月 31 日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)作者签名:简足勇导师签名: 薛红喜 日期:2013 年 05 月 31 日摘要摘要集成了传感器的 RFID 标签芯片是近年来 RFID 领域研究和发展的热点,其利 用 RFID 技术的非接触方式获取目标对象的温度、湿度、位置和相关环境参数等, 使得传感器技术与 RFID 技术的结合变的非常热门和得到广泛的应用。本文介绍集成于无源 RFID 标签芯片的 CMOS 温度传感器设计,该 CMOS 温 度传感器集成于 13.56MHz 的高频无源 RFID 标签芯片上。在设计集成于无源 RFID 标签芯片的 CMOS 温度传感器时,主要考虑功耗和精度两个方面的问题。本文重 点研究了 CMOS 工艺中寄生双极型晶体管(BJT)的温度特性,比较了标准数字 CMOS 工艺中两种不同的寄生双极型晶体管(横向寄生晶体管和纵向衬底寄生晶 体管)的特性,得出纵向衬底寄生晶体管更适合用来设计高精度的温度传感器。 研究了斩波技术的基本原理以及其运用于运放设计中的优势,利用斩波技术设计 了一个低温度系数的带隙基准源,有效的减少了运放的失调和低频噪声,大大的 提高了带隙基准的输出信号精度,同时加入了 VBE 线性化来补偿高阶非线性项, 得到了一个低温度系数、高精度的基准信号。还研究了利用寄生 BJT 来感应温度 的原理及电路设计,利用斩波运放设计出了一个高线性度的 PTAT(与绝对温度成正 比)电压产生电路,并通过动态元件匹配技术来精确匹配两条支流电流比值,提高 了感温电路的测温精度与线性度。采用 Tower 0.18um 2P6M 标准 CMOS 逻辑工艺,基于 Cadence 平台对电路进 行设计与仿真,仿真结果表明带隙基准源在-20℃-100℃温度范围内,输出电压只 变化了 0.35mv,温度系数为 4.2ppm/℃。测温电路灵敏度约为 3.1mv/℃,具有很好 的线性度与测温性能。关键词:无源 RFID,温度传感器,带隙基准源,感温电路IABSTRACTABSTRACTIn recent years, the RFID tag chip integrated sensor is a hotspot of research and development in the field of RFID, using non-contact manner of RFID technology to obtain the target object temperature, humidity, location and related environmental parameters, make the combination of sensor technology and RFID technology becomes very popular and has been widely used.This thesis describes the design of CMOS temperature sensor which integrated on 13.56MHz HF passive RFID tag chip. The main considerations on the design of CMOS te

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