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第 卷第 期 化工设计通讯
４１ ５
年 月 · ·
２０１５ １０ CｈｅｍｉｃａｌEｎ ｉｎｅｅｒｉｎ Dｅｓｉ ｎCｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ ５３
ｇ ｇ ｇ
纳米三氧化钨的制备及其应用研究
张玉才
（新疆喀什大学化学与环境科学学院，新疆 喀什 ８４４００６）
摘 要：三氧化钨是一种 型半导体，它的禁带宽度在 之间，是一类宽禁带的氧化物。作为
ｎ ２．５－３．５ｅＶ
一类具有开发潜力的半导体材料，它在气体传感器、光催化、显示器等方面都有着广泛的应用前景。由于形
貌对纳米材料的性能和尺寸有着重要的影响，因此制备和研究不同结构和形貌的三氧化钨受到了越来越多
研究者的青睐。
关键词：三氧化钨；纳米材料；光催化
中图分类号： 文献标志码： 文章编号： （ ）
ＴF１２３ B １００３-６４９０ ２０１５ ０５-００５３-０３
Stud onPre arationanda licationofnanotun stenoxide
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Zhan Yu-cai
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Cｏｌｌｅ ｅｏｆｃｈｅｍｉｓｔｒ ａｎｄｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｋａｓｈｉ，Xｉｎｉａｎ ，Ｋａｓｈｉ，Xｉｎｉａｎ ８４４００６
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Abstract：ｔｕｎ ｓｔｅｎｏｘｉｄｅｉｓ ａｎｎ-ｔ ｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，ｔｈｅｆｏｒｂｉｄｄｅｎｂａｎｄｗｉｄｔｈｂｅｔｗｅｅｎ２．５－３．５
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Ke words：ｔｕｎ ｓｔｅｎｏｘｉｄｅ；ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌ；ｈｏｔｏｃａｔａｌ
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