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固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 固 体 电 子 理 论 * * 波包的波函数 可以改写为 相应的几率分布为 波包中心移动的速度（即电子的速度）为 当 时，上式有最大值，根据几率密度的意义， 波包中心在 处。 波包在空间上集中在Δx范围，有 且 。波包的大小如果大于许多个原胞，则晶体中电子的运动可以看作是波包的运动。波包的运动同经典粒子一样，波包移动的速度等于粒子处于波包中心那个状态所具有的平均速度。 下面考虑在外力Fx 作用下，晶体电子的加速度。在dt 时间内电子获得的能量等于外力所作的功，即 单位时间内能量的增量为 电子的加速度为 由以上两式可得 与牛顿第二定律 相比较，如果令 则晶体中电子的运动，在形式上可写为： m*称为电子的有效质量，在一维情况下它是标量。在三维晶体中，电子的速度为 电子的加速度 写成分量形式： 由 ,则得到 与牛顿第二定律对比，上式中的 与质量的倒数相对应，它就是前式中 由九个元素组成的矩阵，称为倒有效质量张量。其分量可表示为： 其缩写形式为 由此可见，这是一个对称张量。经过适当坐标变换可以使其对角化，前式所代表的九个元素中只有I =j 的三个元素不为零，即 i,j = 1,2,3 上式说明有效质量是状态的函数，取决于该状态中的 关系。仅表示晶体中电子在外力场作用下，加速度与外力之间的比例关系，量纲与质量相同。它不同于自由电子的质量m。m*是与电子所受的内力（晶格势场引起）密切相关，概括了晶格势场对电子的作用。一般情况下有效质量是张量，晶体中电子的加速度一般与外力方向不同。只有外力沿等能面主轴方向时才是相同的。有效质量是波矢K函数，它可以大于惯性质量，也可以小于惯性质量甚至可以是负的。只有在带底与带顶附近，可以近似认为是常数。在带底附近 ，而带顶附近 ，说明此处所外加力与加速度反向。对于自由电子来说这是不可理解的。但对于晶格中的电子，由于除受外力作用外，还受到晶格内场的作用。 ，就是电子受到晶体势场强烈作用的结果，此时晶体传递给电子的动量大于外力传递给电子的动量，电子能克服外力影响作负加速运动。 外层电子的能带宽， 小，内层电子的能带窄， 大。 0 υ E 金属、半导体和绝缘体 满带对电导无贡献 由N个元胞组成的晶体，其简约布里渊区波矢K 的数目为N。考虑电子的自旋，每个子能带包含有2N个电子态，即每个子能带可填充2N个电子。如果一个能带内的全部状态均为电子所填充，则称之为满带。如果一个能带未被电子所填满，则称之为不满的带。例如，半导体硅、锗，它们的价带由四个子能带组成，共有2N×4＝8N个电子态。而硅、锗是4价的，每个原子有4个价电子。N个元胞组成的晶体便有8N个价电子。在基态这8N个价电子正好填满价带，价带的四个子能都是满带。 已经知道，电子的能量是波矢的偶函数,即 电子的速度 上式说明速度是波矢的奇函数。波矢为k 的状态和波矢为－k 的状态中电子的速度是大小相等但方向相反。 当没有外电场存在