第二章 集成电路设计技术与工具.pptVIP

2.7 金属半导体场效应晶体管MESFET 利用金属与半导体接触形成的肖特基结可以构造MESFET器件。 MESFET器件用GaAs和InP基半导体材料构成。 GaAs基MESFET 工作原理 对于耗尽型MESFET，当栅压VG为零，而源漏电压VD很小时，栅下耗尽区并未延伸到N-GaAs下沿，器件处于导通状态， 因此源漏电流ID很小并随源漏电压线性变化。 当VD增大时，靠近漏区的耗尽区先接触到半绝缘衬底，形成夹断。这时的VD称为饱和电压VDsat 当VG反偏而VD很小时，栅下耗尽区宽度在反偏增加时增宽，VD反偏减小时变窄，VD不变的情况下通过改变VD反偏而改变栅下N-GaAs的耗尽区宽度，也就改变了ID的大小。类似电阻。 2.8 本章小结 集成电路由导体、绝缘体和半导体三大类材料构成，其中半导体材料最为关键。通过简单讲述固体的能带结构的形成和导体、绝缘体以及半导体的能带特点了解了半导体材料的物理特征。通过掺杂，可以得到P型与N型两种导电类型的半导体。两种类型的半导体结合形成PN结，金属与半导体结合形成肖特基结，金属与重掺杂半导体结合形成欧姆结。其中，一个PN结或一个肖特基结加上一到两个欧姆结就构成单向导电的二极管，两个背靠背的PN结加上三个欧姆结就构成具有放大或开关作用的双极型三极管，一个金属-氧化物-半导体结构加上两个欧姆结就构成一个MOS管，一个肖特基结加上两个欧姆结则构成一个MESFET。 四价的本征半导体 Si、Ｇｅ等，掺入少量五价的杂质（impurity）元素（如P、As等）形成电子型半导体,称 n 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处, ?ED～10-2eV，极易形成电子导电。 该能级称为施主（donor）能级。 N型杂质半导体 N型半导体 电子——是多数载流子——多子 空穴——是少数载流子——少子 2.3.4 半导体的特性 半导体材料具有以下特性： 通过掺入杂质可明显改变半导体的电导率。 当半导体受到外界光电热等激发时，其导电能力将发生显著的变化。 利用金属与掺杂的半导体材料接触，可以形成肖特基二极管和金属-半导体场效应晶体管（MESFET）与高电子迁移率晶体管（HEMT）等器件。 对不同区域的半导体材料进行不同类型和浓度的掺杂，可以形成不同类型，不同功能的晶体管。 利用金属-氧化物-半导体结构，可以形成PMOS、NMOS和CMOS场效应晶体管。 总之，正是由于这些独特的特性使得半导体材料在微电子方面具有十分重要的作用。 2.4 PN结与结型二极管2.4.1 PN结的形成 在一块 n 型半导体基片的一侧掺入较高浓度的受主杂质，由于杂质的补偿作用，该区就成为ｐ型半导体。 由于Ｎ区的电子向Ｐ区扩散，Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散，在P型半导体和Ｎ型半导体的交界面附近产生了一个电场, 称为内建场。 内建场阻止电子和空穴进一步扩散 内建场大到一定程度,不再有净电荷的流动，达到了新的平衡。 在ｐ型 n型交界面附近形成的这种特殊结构称为PN结 P-N结处存在电势差Uo 也阻止 N区带负电的电子进一步向P区扩散。 它阻止 P区带正电的空穴进一步向N区扩散； U0 电子能级 电势曲线 电子电势能曲线 PN结 考虑到P-Ｎ结的存在，在讨论半导体中电子的能量时候应考虑进这内建场带来的电子附加势能。 电子的能带出现弯曲现象。 导带 导带 PN结 施主能级 受主能级 价带 价带 2.4.2 PN结型二极管特性 零偏压 PN结两端不加偏压时称为零偏压情况 零偏压时，P区和N区费米能级持平，电子占据水平相当，没有载流子流动，处于平衡状态。 正向偏压 在ＰＮ结的p型区接电源正极，叫正向偏压。 外加电场与内建场方向相反，PN结总的电场减弱，阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴向N区运动，电子向P区运动，形成正向电流。 p型 n型 I 从能带角度来说阻挡层势垒被削弱，阻挡层的总电场强度降低，PN结两端的能带弯曲变小。N区的费米能级高于P区的费米能级，电子和空穴容易获得足够的能量越过势垒区到达对方区域。从而有电流流过势垒区。 反向偏压 p型 n型 I 在ＰＮ结的p型区接电源负极，叫反向偏压。 外加电场与内建场方向相相同，阻挡层势垒被加强、变宽，阻碍了空穴向N区运动，也阻碍了电子向P区运动，只有反向漏电流流过。 从能带角度来说阻挡层势垒被加强，阻挡层的总电场强度增大，PN结两端的能带弯曲变大。P区的费米能级高于N区的费米能级，电子和空穴不能越过势垒区到达对方区域。只有漏电流流过势垒区。 根据PN结的载流子浓度的分布和电流连续性方程，可得出理想PN结半导体二极管方程为： （2.2） ID为二极管的