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第3讲 CMOS工艺步骤和版图 IC设计者需要的工艺知识 IC者的任务是向芯片制造厂提交版图. 版图与制造工艺有比较密切的关系. 本节学习重点是理解版图与工艺的关系. 如何在一个晶片上制造两种MOS管？ 使用“阱”。阱是与衬底类型相反的半导体区域，衬底作为一种MOS管的“体”，阱作为另一种类型MOS管的“体”。 1.阱 步骤(1)(2) 与IC设计者无关. 阱的制造步骤(3)(4) 阱的制造步骤(5)(6) 阱的制造步骤(7)(8) 阱的制造步骤(9)(10)(11) 阱(层)的版图 阱的设计规则 版图上的阱应该实际需要大一些,内部的器件要与阱的边界有一定的距离. 阱与阱之间要有足够的距离. 阱有最小尺寸限制. 在确定使用某种工艺后,以上数据即确定. 厂家提供DRC规则文件,使用版图验证工具可以自动检查一个版图是否满足DRC规则. N阱电阻阻值的计算 例：若n阱的宽为10μm，长为100μm。计算该n阱电阻的阻值。 【N阱方块电阻（Ω/□） 最小值１６００ 典型值２０００ 最大值２６００】 带拐角电阻计算 N阱/P衬底二极管 耗尽层电容和存储电容 N阱的RC延迟 N阱的RC延迟 r：单位长度电阻 c：单位长度电容 l：单位长度数目 td=0.35RC 例题 一个250kΩ的电阻是由300um长、3um宽的n阱构成，计算该电阻延迟时间 （不考虑侧壁的影响，n阱与衬底的单位面积零偏压耗尽层电容=100aF/μm2） 2.有源区和场区 芯片=场区+有源区 硅片表面需要做两种不同的氧化处理，一部分有很厚的氧化层，称为场氧区或场区（FOX），另一部分则只有很薄的氧化层，称为有源区（active）或薄氧区。 FOX：field oxide-场氧/场氧区 氧化层生长的很厚，用作器件隔离，场氧区用来布线。 ACTIVE：有源区/薄氧区 氧化层生长的很薄。 隔离作用 有源区(层)的版图 哪些部分需要划分为有源区? 由于场氧化层很厚,无法刻蚀,所有在后续步骤中需要对下方的半导体材料需要处理的区域都要划分为有源区. 制造MOS管的源/漏(N+和P+)区需要注入离子,必须处于有源区. MOS管的体连接处必须处于有源区. 3.多晶（Poly） 现代CMOS工艺一般采用“硅栅自对准”工艺，即采用多晶硅材料制作MOS管的栅极，制作次序是先在栅氧化层（active）上淀积多晶硅，然后再注入N+或P+离子。 Ploy除用于制造MOS管的栅极以外，在模拟CMOS工艺中还用来制作电阻和电容。 多晶还可以作为导线,实现短距离连接. 多晶的金属化 为减小电阻,制造MOS管栅和导线的需要做金属化处理,方法是淀积硅化物(silicide,一种硅和难熔金属的混合物) 两个重要效应 效应一：氧化层侵蚀 效应二：横向扩散 4.离子注入层 CMOS工艺中的N+和P+区一般是采用离子注入方式实现的。教材中用n-select表示注入N+的“层”，p-select表示注入P+的层。 注入只能在有源区进行，因此版图设计中，“select层”必须包围active层，只有其中重叠的部分才是真正的N+或P+区。 Select区必须包围有源区 有源区\PLOY\注入层之间的设计规则 易出现的错误 MOS管栅极设计规则 POLY必须”出头”一定距离. 作用:POLY有阻挡注入的作用,出头确保POLY下方不被注入. 沟道宽度W按多晶下方的有源区宽度计算. PLOY线条宽度是沟道长度L. 实际有效的W和L与绘制时的W和L有区别,但设计者不必考虑(版图就按原理图画). MOS管以基本形成,但还没有向外连接.绝缘层不需要画在版图中.制造工艺已定,制造者决不会忘记制造绝缘层. 5.接触孔 接触孔（Contact）用于连接金属和半导体材料，包括金属和Poly，金属和N+（P+）的连接。 金属与POLY的接触孔版图 金属与N+/P+的接触孔 需注意的问题 注意，绘制N+(P+)与金属的连接时，不能只画Metal1、Contact和N+(P+)等3种材料，一定要有Active层。如果不画Active层，就意味着该区域是FOX，FOX是刻不透的。 6.金属层 金属层主要是用来实现电路、电阻、MOSFET、电容之间的连线，也可以用来做电容的极板。 电流运载极限 为什么要提出电流运载极限？ 当导线上流过的电流过大时，会引起金属的电迁移，电迁移会导致导线的尺寸变化，会改变导线上某些点的阻值甚至断路，最终导致电路失效，所以集成电路设计中必须注意电流运载极限。 串扰 地电位上跳 地线扰动是地线上产生的噪声 长金属线的电阻 对直流和交流都有影响 7.通孔 金属与金属之间的连接使用通孔via.其中via1连接金属1和金属2,via2