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第 卷第 期 光 子 学 报
48 2 Vol.48No.2
年 月
2019 2 Februar2019
ACTAPHOTONICASINICA y
引用格式: , , ,
WANGChiZENGRan HOUJin-xin etal.SontaneousEmissionCharacteristicsofAtomneartheInterfaceof
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ChiralMetamaterialandChernInsulatorJ.ActaPhotonicaSinica 2019 482 0227001
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王驰 曾然 侯金鑫 等 手征介质与陈绝缘体界面附近原子的自发辐射研究 光子学报
. J. 2019482 0227001
手征介质与陈绝缘体界面附近原子的自发辐射研究
, ,
1 12 1 12 1 1 2
, , , , , ,
王驰 曾然 侯金鑫 李浩珍 李齐良 毕美华 羊亚平
( , )
1杭州电子科技大学 通信工程学院 杭州 310018
( , )
2同济大学 物理科学与工程学院 先进微结构材料教育部重点实验室 上海 200092
:
摘 要 对手征特异材料介质与陈绝缘体材料界面附近二能级原子的自发辐射特性进行了研究 推导计
.
,
算了手征介质界面及其与陈绝缘体材料界面的反射系数矩阵 并根据并矢格林函数求得此环境下二能
级原子自发衰减率的表达式 对手征介质和陈绝缘体材料特性参数影响下的原子 自发辐射进行了数值
.
, ,
计算 分别对平行和垂直于界面的偶极子自发衰减率进行讨论 并对辐射模式和消逝模式下的自发辐射
, ,
进行了分析 结果表明 由于手征参量的存在 手征介质界面附近的原子 自发衰减率与普通介质相比被
.
, ,
增强 陈绝缘体则使得界面附近原子的自发辐射被明显抑制 且当手征参量较大时 陈绝缘体的抑制效
.
应更加显著.
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关
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