GLSI多层铜布线碱性精抛液与其CMP工艺的分析.pdfVIP

摘 要 目前国际上超大规模集成电路已经进入7nm 产品的研发，国内开始对28nm 产品 进行研发。提高集成度、增加互连层数，成为微电子发展的必然趋势。化学机械平坦 化 （CMP ）是目前公认的实现材料局部和全局平坦化的最有效方法，广泛应用于 IC 制程的表面平坦化处理。然而新材料 （低-k 介质）、新结构 （FINFET ）的引入，对平 坦化提出了更高的要求。基于细线条节点，目前国际上提出了三低的要求，即低pH 、 低磨料浓度、低压力。铜 CMP 工艺中，碟形坑和蚀坑作为关键技术参数，关系到互 连之间的断路、短路等可靠性问题，是亟待解决的瓶颈问题。国际酸性抛光液通过加 入抑制剂 （BTA ），以实现平坦化，但高抛光压力对低-k 介质造成严重破坏；并且 BTA 等衍生物的污染，给后续清洗带来困难等。因此以化学作用为主的碱性抛光液代替以 机械作用为主的酸性抛光液，成为了必然发展趋势。但是碱性抛光液以化学作用为主， 存在各向同性，低凹处铜线条腐蚀问题突显，需要更多的工作解决此问题。 本文主要基于两种螯合