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第七章 化学气相淀积 基本上，集成电路是由数层材质不同的薄膜组成，而使这些薄膜覆盖在硅晶片上的技术，便是所谓的薄膜沉积及薄膜成长技术－－薄膜淀积 淀积：就是指薄膜材料的沉积和生长等技术，指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面上的工艺过程。 所淀积的薄膜可以是导体、绝缘材料或者半导体材料。比如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅以及金属（Cu、W） 薄膜特性 好的台阶覆盖能力 填充高的深宽比间隙的能力 好的厚度均匀性 高纯度和高密度 受控制的化学剂量 高度的结构完整性和低的膜应力 好的电学特性 对衬底材料或下层膜好的黏附性 膜对台阶的覆盖 我们期望薄膜在硅片表面上厚度一致，如果淀积的膜在台阶上过渡的变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或在器件中产生不希望的诱生电荷。膜的应力要尽可能的小，因为应力还可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。 高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔）深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值 薄膜生长的步骤 1.成核 2.核的生长 聚集成束， 也称为岛生长 3.连续的薄膜 淀积主要有两大类： 化学气相淀积 （Chemical Vapor Deposition：CVD） 物理气相淀积 （Physical Vapor Deposition: PVD） 包括蒸发、溅射 区别在于：反应物的来源是否经过化学变化。 CVD 化学过程 高温分解： 通常在无氧的条件下，通过加热化 合物分解（化学键断裂）； 2. 光分解： 利用辐射使化合物的化学键断裂分解； 3. 还原反应： 反应物分子和氢发生的反应； 4. 氧化反应： 反应物原子或分子和氧发生的反应； 氧化还原反应： 反应3与4地组合，反应后形成两 种新的化合物。 ???? 经过数十年的发展，CVD已经成为半导体生产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的应用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所有的半导体元件所需要的薄膜，不论是导体，半导体，或者绝缘介电材料，都可以沉积。 ??????? 在目前的VLSI生产过程中，除了某些材料因特殊原因还在用溅镀法之外，如铝硅铜合金及钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积。 CVD工艺优点 （1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点。因此减轻了衬底片的热形变，抑制了缺陷生成; 设备简单，重复性好； （2）薄膜的成分精确可控、配比范围大； （3）淀积速率一般高于PVD（物理气相淀积，如蒸发、溅射等），效率高；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜淀积，且能大量生产； （4）淀积膜结构完整、致密，良好的台阶覆盖能力，且与衬底粘附性好。 （5）CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等 CVD工艺用途 形成钝化保护层， 介质层， 导电层， 和掩蔽层 7.1 化学气相淀积原理 用CVD方法淀积薄膜，实际上是从气相中生长晶体的复相物理－化学过程 影响薄膜质量和沉积速率的参数：反应气体流量，反应压力，腔室温度，是否掺杂及掺杂数量等 CVD 反应步骤 参加反应的气体混合物被输送到衬底表面 反应物分子由主气流扩散到衬底表面 反应物分子吸附在衬底表面 吸附分子与气体分子之间发生化学反应 反应副产物分子从衬底表面解析 副产物分子由衬底表面外扩散到主气体流中，然后被排出淀积区 在化学气相淀积中，气体先驱物传输到硅片表面进行吸附作用和反应。例如，下面的三个反应。反应1）显示硅烷首先分解成SiH2 (硅乙烯 )先驱物。 SiH2先驱物再和硅烷反应形成Si2H6 (乙硅烷 ) 。在中间CVD反应中， SiH2随着Si2H6被吸附在硅片表面。然后Si2H6分解形成最终需要的固态硅膜。 SiH4(气态) SiH2(气态) + H2(气态) （高温分解） SiH4(气态) + SiH2(气态) Si2H6(气态) （反应半成品形成） Si2H6(气态) 2Si (固态) + 3H2(气态) （最终产品形成） 以上实例是硅气相外延的一个反应过程 CVD过程 速度限制阶段 在实际大批量生产中，CVD反应的时间长短很重要。但是每一部的生长速率是不同的，基于CVD反应的有序性，最慢的反应阶段会成为整个工艺的瓶颈。换言之，反应速度最慢的阶段将决定整个淀积过程