第4章潘效应管放大器.ppt

第四章 场效应管放大器 4.1 结型场效应管: 符号： 二、工作原理（以N沟道为例） 漏源电压VDS对iD的影响 4.1.2 伏安特性曲线及参数 （2）恒流区：(又称饱和区或放大区） （3）夹断区： 2、转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.3.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 2、N沟道增强型场效应管的工作原理 N沟道增强型场效应管的工作原理 栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用 2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 增强型MOSFET的工作原理 MOSFET的特性曲线 2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RGS 场效应管与晶体管的比较 耗尽型 4.4 场效应管放大电路 (2) 分压式偏压电路 4.4.2 小信号模型分析法 2.用小信号模型进行交流分析 例4.4.2 源极输出器 低频模型 高频模型 跨导 漏极输出电阻 1. 小信号模型 小信号等效电路 （1）电压放大倍数 (2) 输入电阻 (3) 输出电阻 uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D