第4章常半导体器件.pptVIP

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  • 2019-05-04 发布于浙江
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4.1.2 N型半导体和 P 型半导体 4.1.2 N型半导体和 P 型半导体 4.2 PN结 4.2.1 PN结的形成 4.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 4.3 半导体二极管 4.3.1 基本结构 4.3.2 伏安特性 4.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 4.4 稳压二极管 3. 主要参数 4.5 半导体三极管 4.4.1 基本结构 4. 4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 4.4.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 4.4.4 主要参数 1. 电流放大系数,? 基区:最薄, 掺杂浓度最低 发射区:掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点: 集电区: 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 UBUE 集电结反偏 UCUB 从电位的角度看: NPN 发射结正偏 UBUE 集电结反偏 UCUB IB(mA) IC(mA)

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