王小玲DDR4存储关键技术分析.docxVIP

PAGE DDR4存储器关键技术分析 王小玲 （东南大学无锡分校，江苏无锡，214135） 摘 要：随着DDR4 SDRAM内存技术标准的发布，其在内存领域将会引起越来越多的关注，因此对DDR4内存进行深入分析很有必要。本文从计算机硬件技术分析的角度，结合与DDR3的比较，对DDR4内存的关键技术进行了初步系统的分析。 关键字：DDR4；DDR3；高速率；低功耗；技术分析 Analysis of DDR4 SDRAM’s essential technology Wang Xiaoling1, Li Bing2 (1. Wuxi Branch of Southeast University, Wuxi Jiangsu, 214135; 2. School of Integrated Circuits, Southeast University, Nanjing Jiangsu, 210096) Abstract：With the publication of DDR4 SDRAM memory technology standard, it will attract more and more attentions in the field of memory. So it is necessary to make in-depth analysis of DDR4 memory. From the perspective of computer hardware technology analysis, combined with the comparison with DDR3, this article analyzes the key technologies of DDR4 memory preliminarily. Key words：DDR4; DDR3; High data rate; Low power consumption; Technical analysis 在无数的电子产品发展中，从电脑到游戏机到电视再到通讯设备，半导体存储器都发挥着重要的作用。JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）标准包含了如今半导体存储器市场上每一个关键特征。微电子产业标准机构JEDEC固态技术研究会在2012年9月发布了下一代同步DDR内存技术标准：DDR4。它规定了更高性能和稳定性以及更低的功耗。相对于以前几代的DRAM内存技术，又是一次新的突破。 目前，DDR3 SDRAM广泛用作PC机和服务器的内存。但是，随着诸如智能手机、平板电脑等移动设备的迅猛增长，我们需要大量的服务器系统。并且，网络带宽容量和多媒体容量越来越高，这些都驱使我们开发更高性能服务器系统[1]。内存是服务器系统的关键部分之一，这就促使了新一代低功耗高性能的DDR出现——DDR4。三星早在2011年初便推出了30nm到39nm工艺下2GB DDR4内存模组，而Hynix海力士（现代旗下）也与同年4 作者简介：王小玲，（1988-），女，硕士研究生，E-mail: w123xl@126.com 月推出了2400MT/s的2GB DDR4。2012年9月新思科技公司（Synopsys）宣布其Design Ware DDR接口IP产品组合已经实现扩充，以使其包括了对基于新兴的DDR4标准的下一代SDRAM。同月，Cadence公司也宣布，其DDR4 SDRAM PHY和存储控制器Design IP的首批产品在TSMC的28HPM和28HP技术工艺上通过验证[2]。DDR4提供了一系列创新特性来获得高的速度和广阔的应用包括，服务器、笔记本、台式机和消费类产品。因此，研究DDR4的技术标准，具有十分重要的意义。 1 DDR4与DDR3不同之处 DDR4 SDRAM将是下一代电脑和服务器的内存。相比目前的DDR3 SDRAM，DDR4 内存技术具有更高的性能、更好的稳定性和更低的功耗的优势，进步显著。 1.1 基本特征 表1是DDR4内存与DDR3内存的一些基本参数对比。 表1 DDR4与DDR3基本参数对比 Spec items DDR3 DDR4 Speed 1.6~2.1Gbps 1.6~3.2Gbps Density 512Mbp~8Gb 2Gb~16Gb Voltage (VDD/VDDQ/VPP) 1.5V/1.5V/NA (1.35V/1.35V/NA) 1.2V/1.2V/2.5V Vref External(VDD/2) Internal(training) Data IO CTT(34 ohm) POD(34 ohm) # of banks 8 16(4 BG) Page size