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如何选择线性稳压电路的MOSFET 前言 选择线性稳压电路的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET，(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)有许多的重要考虑，本文将简介使用MOSFET之线性稳压电路、计算线性稳压电路中MOSFET的消耗功率，并从MOSFET规格表中找出最小所需之闸极-源极电压，以及计算MOSFET最大所需导通电阻值与MOSFET 内部半导体接面温度，并有设计实例做为参考。 使用MOSFET之线性稳压电路简介 图 1线性稳压电路线路图 “Vout” 为额定输出电压、“Vin” 为额定输入电压、“Iout” 为额定输出电流、“Vgate” 为从控制芯片输出之闸极电压 计算线性稳压电路中MOSFET的消耗功率MOSFET的总消耗功率 (Pdis)Pdis=(Vin-Vout) * Iout从MOSFET规格表中找出最小所需之闸极-源极电压首先我们要确定最大额定输出电流值，对照转换特性图(transfer characteristics) 找出最小所需之闸极-源极电压，便可查询控制芯片输出电压是否大于最小所需之闸极电压。计算MOSFET最大所需导通电阻值假设最大所需导通电阻值表示为Rds(on)maxRds(on)max=(Vin-Vout)/Iout若MOSFET 工作时的导