第二章导材料：半导体材料.pptVIP

LED一般工艺流程图 1.3 半导体材料 Moore’s Law: 每18个月，集成度提高1倍，线宽降低1半1970s: 10mm2000: 0.1mm (limit 0.08mm) Transistors per chip1970s:4004, 1,000 transistors1990s: P4, 42,000,000 DRAM  Price/bit : 1976/2000 104 Bits/chip: 2000/1976 1041990: 4M DRAM 1000RMB2000: 64M DRAM 200RMB PC:1970s: 8bits/1MHz/64k/no Hard disk2000: 64bits/1.5GHz/128M/30GB 2.2. 半导体材料 半导体材料的分类 I（按功能分类） 电子材料检波/放大/整流/存储 光电材料发光/探测/光伏/成像 热电材料 测温、发电 传感材料气敏/湿敏/热敏/光敏/磁敏 光子材料激光/光传输/光放大/光计算/光存储 微波材料 半导体材料的分类 III（按结构分类） 单晶半导体：整块半导体材料中的原子周期性地有序排列。 多晶半导体：半导体材料中分成许多区域，各区域内的原子周期性地有序排列。 非晶态半导体：半导体材料中的原子排列长程没有周期性，但短程有序。 异质结构半导体：指外延层与衬底材料不同的半导体多层膜结构。 超晶格半导体：利用外延技术制备的人工晶体结构。 纳米半导体：结构尺度为纳米的半导体材料，如纳米颗粒或纳米薄膜。 复合半导体：两种或两种以上半导体材料的复合，如无机/无机，有机/无机，有机/有机复合。 导电机理？ 电导现象 当物体两端通上电后，就会有电流流过，这种现象称为电导现象。 电导就是物体导电的能力，电导率与电阻率成反比。 对半导体来说电导是由载流子即电子和空穴的运动引起的。载流子在运动中所受到的散射越少，其运动速度越快，电导率越大（电阻越小），反之载流子在运动中受到的散射频繁，其定向运动速度不断被散射破坏，总体运动速度较小，相应的电导也较小，即电阻较大。 载流子在外场中的迁移率 载流子在外场中的运动无规运动+定向运动 迁移率 迁移率:单位外场作用下载流子的平均运动速度，用符号是m表示，它反应了载流子在半导体中作定向运动的难易程度。 按定义可得 。以上几个公式对电子及空穴完全相同，一般在对应电子的速度、质量、迁移率符号下加下标n，在空穴对应的各符号下加下标p。 地壳里所含各种元素的质量百分比 2.2.1.2. 　本征半导体与掺杂半导体 半导体中的掺杂 在实际所用的半导体材料中，特别是电子材料中，往往掺有一种或两种杂质以获得特定的电性能。 常温下本征半导体导带中电子的浓度较小，例如硅本征载流子浓度只有10×1010cm-3的量级，因此极其微量施主或受主杂质的掺入即可大大改变它的导电性能。 只要在硅中掺入亿分之一（10×1014cm-3）的施主杂质,并假定这些杂质上的电子全部进入导带，则导电能力可增加几万倍。因此掺杂对半导体器件生产是很重要的一个步骤。 N 型半导体 n形半导体 P 型半导体 p形半导体 杂质半导体的能带结构 施主能级掺入价数较高的杂质原子；晶格缺陷；杂质-缺陷复合体。 受主能级掺入价数较高的杂质原子；晶格缺陷；杂质-缺陷复合体。 激子能级：束缚的电子-空穴对 极化子能级：电子-晶格相互作用 激 子 导带电子与价带空穴束缚在一起，导致电子能量降低。 可以用类氢原子进行讨论，但由于空穴质量与电子质量相比不可当作无穷大，因此要用折合质量代替电子的有效质量。 极化子 导带电子在晶格中运动时，在一定的条件下可以使周围的离子位置发生变化，引起晶格畸变，产生极化效应。 晶格畸变消耗部分能量，使得电子能量降低，电子被自身引起的晶格畸变束缚，即自陷作用。 把自陷的电子与周围畸变的晶格作为一个体系看待就是极化子。好象电子在运动时带着畸变晶格一起运动。 施主、受主杂质能级 氢原子模型 施主、受主上的电子能级 浅能级与深能级及复合中心 浅能级 离开导带底或价带顶距离较小的能级，例如施主和受主能级。 深能级 离开导带底或价带顶距离较大但离禁带中心距离较大的能级，例如施主和受主能级。 复合中心 离禁带中心距离较小的深能级。 半导体中载流子的来源 温度较高时，价带电子可以通过热激发直接进入导带，成为本征激发。 由于施主上的未成键电子的束缚能很小，因此很容易通过热激发进入导带； 由于价带离开受主能级距离很小，因此价带上的电子很容易通过热激发进入受主能级。 其他使得电子