CCD抗晕技术分析.doc

CCD图像传感器的抗晕技术分析  电荷耦合器件CCD是一种在硅集成电路工艺线上制作的固体图像传感器，它工作方式是将光信号在光敏区转换为电荷信号，再以电荷耦合的方式将电荷传送并输出。它的高灵敏度、像元尺寸小、低噪声、低暗电流的特点，使其在图像信息获取领域应用逐渐扩大，成为目前成像系统采用的主流图像传感器。近年来，CCD 图像传感器已被广泛应用于军事、天文物理、工业检测和监控及医学诊断等领域。 CCD摄像器件摄取的目标图像，光强从月光到日光，且变化的动态范围大，这就要求CCD既有高灵敏度响应，又要在日照强光下摄取的图像清晰。但是, CCD 摄像器件在强光照射时会出现光晕( blooming ) 和拖影( smear)现象, 而对于固体摄像器件, 这些现象会严重影响到CCD的成像质量和清晰度, 这就要求CCD在强光照时具有抗晕能力。光晕就是图像中存在亮点, 在显示屏上出现一个白色区域向周围扩展, 从而出现柱状或线状白道的现象。 另外就是关于夜间汽车会车时车灯晕光问题, 夜间行车两机动车正面交会时, 对方车前灯会对人眼产生直接眩光, 另对方驾驶员感到眩晕, 可能导致严重的交通事故。各国学者均在寻求最佳解决方案. 目前比较成熟的夜视红外成像技术, 可以有效地消除车灯晕光问题, 但其缺点是成本高、图像清晰度低。CCD 传感器是目前应用最广泛的图像传感器, 但当景物中明暗部分亮度相差较大时, 由于受其动态范围的限制, CCD 图像传感器将无法获得满意的图像。因若将CCD 传感器积分时间缩短, 则图像中景物亮度较暗部分的图像将会丢失; 若是延长CCD 传感器积分时间, 则图像中景物较亮部分将发生晕光现象。 一、抑制光晕的两种基本方法 抑制光晕的基本方法是当过量载流子从像元处溢出时, 便将他们吸收掉, 以阻止扩散到邻近像元。根据CCD图像传感器的结构和制造工艺, 有两种抗晕的方法: 横向抗晕、纵向抗晕。 1. CCD横向抗晕结构 横向抗晕结构是在每个光敏元旁边设置一个溢出漏(anti-blooming drain)即(AB drain), 并且每个光敏元和溢出漏之间用一个抗晕栅连接。在横向抗晕结构中, 当强光照射时, 光敏元的光生过量载流子横向溢出到旁边的溢出漏中, 从而抑制了光晕现象。但这种结构的缺点是溢出漏占用了光敏元的面积, 使得CCD 的灵敏度和动态范围降低。 2．CCD纵向抗晕结构 ① CCD纵向抗晕结构方法介绍 CCD纵向抗晕结构是在每个光敏元的光电二级管下设置一个溢出漏, 当强光照时, 光敏元的过量光生载流子就纵向导入溢出漏, 最后导入衬底, 这样光晕得到抑制。如图1所示, CCD 摄像器件的光晕纵向控制原理, 当V- CCD 的驱动脉冲为高电平Vh 时, p- n结光电二极管的光生信号电荷被转移到V - CCD 中。 这时, 光电二极管的电位与TG区的沟道电位ΦTGH相同, 在电势曲线被标为“空”。接着, 随着光电二极管中光生信号电荷的产生, 二极管电势也随着相应减小。当光照强时, 二极管电势将到图中的“满”状态。这时,垂直溢出漏起作用, 由于光强而产生的所有过量电荷,就沿着1 PW 而被导入n衬底( n衬底象一个漏), 而不是溢出到邻近的V- CCD, 这样光晕受到抑制。 图1 纵向抗晕的控制过程 从上述光晕控制说明中可知, 光敏二极管所能存贮的最大电荷量QPDmax为 QPDmax =CPD ( ΦTGH - ΦPD ) 式中CPD是光敏二极管电容。无光晕的条件为ΦPD ΦTGM ② 纵向抗晕CCD模型的建立 由于一个CCD 器件是由多个结构单元组成, 而且每个单元的结构完全相同, 为此, 选取了纵向抗晕CCD 器件的一个结构单元进行了仿真。 图2?? 纵向抗晕CCD的模拟计算简化模型 选取结构单元的简化计算模型如图2所示。用MEDIC I软件对上述模型进行仿真。其结果如下: 1 PW 层硼掺杂浓度直接影响到CCD纵向抗晕能力。选取Nch 沟道掺杂浓度为3×10cm, 节深为0.5m, 在G下注如入电子电荷量Q = 1.598×10coul/m,即为9.973×10/m电子, 对衬底施加相同的反向偏置电压V=15V, 1PW层节深为3m条件下, 取1PW 硼掺杂浓度分别在6×10 cm、8×10 cm、1×10 cm时进行瞬态模拟。 图3?? 1PW =6×10 cm纵向抗晕电势曲线 图4所示为1PW =1×10 cm抗晕电势曲线,与图3相比: 导入衬底的电荷量较大, 几乎是把沟道注入的载流子全部导入衬底, 对沟道清空, 实现复位。 图4?? 1PW =1×10 cm纵向抗晕电势曲线 上述建立了模拟纵向抗晕CCD 器件的数值运算模型,利用半导体器件二维数值仿真软件MEDICI, 对CCD纵向抗晕的各个影响参数进