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第八章　功率晶体管和二极管 引言 ?? 功率电子学的发展特征是器件的发展 ?? 慢速SCR-高速开关器件 ?? 应用场合更为广阔 ?? 二极管/晶体管/GTR/MOS/IGBT 第八章　功率晶体管和二极管 基本要求： 了解各种常用的功率晶体管和二极管的基本特性和定额参数，为设计功率电路正确选择功率器件打下基础 学习内容： 功率二极管： 大功率晶体管：GTR－大功率双极型功率晶体管（Bipolar Junction Transitor,BJT） MOSFET－金属氧化物半导体场效应管 IGBT－绝缘栅晶体管 第一节　功率二极管 功率二极管－不可控器件 Power Diode:结构简单．工作可靠．自20世纪50年代就获得应用 快恢复二极管和肖特基二极管：分别在中．高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位． 第一节　功率二极管 功率二极管的工作原理 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样 以半导体PN结为基础，由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的 第一节功率二极管　 N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。 P区主要为空穴即为多子，N区的多子为电子； 交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区的多子向另一区的扩 散运动，到对方区内成为少子，在界面两侧分别留下了带正、负 电荷－这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。 第一节功率二极管 空间电荷建立的电场被称为内电场或自建电场，其方向是阻止 扩散运动的，另一方面又吸引对方区内的少子（对本区而言则为 多子）向本区运动，即漂移运动。 ?扩散运动和漂移运动既相互联系又是一对矛盾，最终达到动态平 衡，正、负空间电荷量达到稳定值，形成了一个稳定的由空间电 荷构成的范围，被称为空间电荷区，按所强调的角度不同也被称 为耗尽层、阻挡层或势垒区。 第一节功率二极管 当PN结外加正向电压时，外加电场与PN结的 内电场方向相反，在外电场作用下．P区的空 穴和N区的电子将被吸引到耗尽层，使耗尽层 变窄削弱，有利于多子扩散不利于少子漂流 第一节功率二极管 PN结外加反向电压时，外加电场与PN结内电 场方向相同，在外电场的作用下，多子将离开 PN结而位空间电荷区变宽，增强了内电场， 因而有利于少于的漂移而不利于多子的扩散。 二极管的伏安特性 PN结的理解特性 二极管的伏安特性 PN结的正向导通特性 二极管的伏安特性 PN结的反向偏置 正向特性 正向导通及反向截止 PN结的正向导通状态 PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左 右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态 PN结的反向截止状态 PN结的单向导电性 二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要 特征 PN结的反向击穿 有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿 二极管正向特性 1.正向压降随耐压升高而升高 2. 正向压降随温度升高而降低 3.正向压降的负温度系数对单个工作有利 4.正向压降的负温度系数对并联不利 正向特性的负温度特性 二极管特性 符号:D 导通机理:PN结特性 正向偏置特性 反向偏置特性 二极管的开关特性 PN 结是P/N 型半导体结合区的空间电荷区 空间电荷区- 内电场-耗尽层 当外加正电压，削弱内电场，注入电荷, 形成 正向电流 正电压减小时，空间电场放出电荷，内电场增 强, 正向电流减小 类似电容充放电,-二极管的动态特性中电容效 应尤为关键 二极管的电容效应(1) 两端电压变化，内电场重新建立,等效为Cb 称之为”垫垒电容” Cb与PN结截面积成正比,这与电容基本定义 一致 二极管的电容效应(2) 二极管的电流变化,内部存储电荷变化 空穴从P 区到N 区，电子从N 区到P 区电荷 不完全复合,多余部份即为存储电荷 当电流大,存储电荷增加；当电流小,放出电 荷；表现出电容特性 将之等效为Cd,即扩散电容 PN结的电容效应： PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电 容Cj，又称为微分电容。结电容按其产生机制和作用的差别 分为势垒电容Cb和扩散电容Cd 势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高， 势垒电容作用越明显。势垒电容的大小与PN结截面积成正 比，与阻挡层厚度成反比 而扩散电容仅在正向偏置时起作用。在正向偏置时，当正向电 压较低时势垒电容为主，正向电压较高时扩散电容为结电容 主要成分 结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下， 可能使其单向导电性变差，甚至不能工作，应用时应加以注 意。 二极管结电容 Cj=Cb+ Cd 理解了二极管的电容效应很容易理解其开关过程不能瞬间完成 尤其在外加反压时，二极管的结电容必须先放电，经过一段恢复时间后，二极管才能恢复阻断 Cj的存在导致二极管开关损耗