2薄膜及纳米材料.pptVIP

2.2.1 物理方法 (1) 阴极溅射法： 仪器主要由一钟罩构成，钟罩内通有10-1到10-2托的低压惰性气体，气体处于数千伏的电势差中，发生辉光放电，气体被离子化，正离子加速移向阴极(靶子)，阴极材料被这些高能离子所解离，凝聚并覆盖在衬底上及其周围。衬底材料放在与阴极相对应的适宜位置上。 (2)真空蒸发法：一种广泛应用的镀膜方法。 衬底(基体)材料种类很多，可根据待沉积薄膜的用途来选择。通常有陶瓷(AI203)、玻璃、碱金属卤化物、硅、锗及各种氧化物等。 作为蒸发源的材料有金属、合金、半导体材料及无机盐等。 源物质的容器有钨、钽、钼等，它们应能耐极高温度，并与所蒸发材料不起化学反应。 2.2.2 化学方法 制造薄膜的化学方法很多，如阴极沉积(一般电镀的标准方法)、无电沉积、阳极氧化、热氧化等。 下面主要介绍几种制备半导体材料和超硬材料薄膜的方法。  2.2.2.1 化学气相沉积(CVD)法该法是制备半导体薄膜的一种常规方法。目前，硅外延生长使用的源有四种：SiCl4、SiHCl3、SiH2CI2和SiH4。由于SiCl4具有来源丰富，稳定性好，易于提纯，工艺成熟，生产安全等特点，所以是制备