西安交通大学微子制造技术第九章集成电路制造概况.pptVIP

Figure 7 - 微电子制造技术第 9 章 IC 制造工艺概况 引 言 典型的半导体IC制造可能要花费6～8周时间，包括450甚至更多的步骤来完成所有的制造工艺，其复查程度是可想而知的。 本章简要介绍0.18μm的CMOS集成电路硅工艺的主要步骤，使大家对芯片制造过程有一个较全面的了解。每个工艺的细节将在后面有关章节介绍。 芯片制造就是在硅片上执行一系列复查的化学或者物理操作。这些操作归纳为四大基本类型：薄膜制备（layer）、图形转移、刻蚀和掺杂。 由于是集成电路制造的概述，所以会接触到大量的术语和概念，这些将在随后的章节中得到详细阐述。 学 习 目 标 1. 熟悉典型的亚微米 CMOS IC 制造流程； 2. 对6种主要工艺(扩散、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜生长、抛光)在概念上有一个大体了解； 3. 熟悉CMOS制造工艺的14个基本步骤。 MOS晶体管工艺流程中的主要制造步骤 CMOS 工艺流程 硅片制造厂的分区概况 扩散 光刻 刻蚀 离子注入 薄膜生长 抛光 CMOS 制作步骤 参数测试 扩 散 扩散区一般认为是进行高温工艺及薄膜淀积的区域。扩散区的主要设备是高温扩散炉和湿法清洗设备。 高温扩散炉（见图9.3）可以在1200℃的高温下工作，并能完成多种工艺流程，包括氧化、扩散、淀积、退火及合金。 湿法清洗设