化学机械研抛过程流体和磨粒分布特性仿真.pdf

第５０卷　 第 １期 哈　 尔　 滨　 工　 业　 大　 学　 学　 报 Ｖｏｌ５０ Ｎｏ１ 　 　 ２０ １８年１月 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＨＡＲＢＩＮ ＩＮＳＴＩＴＵＴＥ ＯＦ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ｊａｎ． ２０１８ ＤＯＩ：１０．１１９１８／ ｊ．ｉｓｓｎ．０３６７⁃６２３４．２０１７０５１６０ 　 　 　 　 　 　 化学机械研抛过程流体和磨粒分布特性仿真 翟文杰，王翱翔 （哈尔滨工业大学 机电工程学院，哈尔滨 １５０００１） 摘　 要：为深入理解化学机械抛光过程中的摩擦磨损机理，仿真研究了不同工况对抛光作用的影响规律． 建立考虑多相流和 离散相的三维ＣＦＤ模型，研究不同工况下晶片和抛光垫间抛光液的速度和压力分布以及抛光磨粒的分布规律． 结果表明：膜 厚越小，抛光垫和晶片的转速越大，磨粒的分布密度越小． 对流体速度和压力分布规律以及磨粒分布特性进行仿真分析，研究 抛光过程中磨粒对晶片表面的动压作用过程． 用疲劳断裂能量守恒理论，建立可定量分析各种工况下材料去除率的预测模 型，采用Ｍａｔｌａｂ软件对去除率模型进行仿真计算，得到不同工况下碳化硅晶片的去除率曲线． 结果表明，抛光垫转速越大，膜 厚越小，材料去除率越大，但去除率随着抛光的进行呈现减小的趋势． 相比抛光垫转速对去除率的影响，膜厚对去除率的影响 较小． 关键词：化学机械抛光；ＣＦＤ仿真；膜厚；磨粒分布；材料去除率 － － － 中图分类号：ＴＵ３７５．２ 文献标志码：Ａ 文章编号：０３６７ ６２３４（２０１８）０１ ００２９ ０７ Ｍｏｄｅｌｉｎｇ ａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｆｏｒ ｔｈｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｆ ｆｌｕｉｄ ａｎｄ ｓｌｕｒｒｙ ｐａｒｔｉｃｌｅｓ ｉｎ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ＺＨＡＩ Ｗｅｎｊｉｅ ，ＷＡＮＧ Ａｏｘｉａｎｇ （Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｈａｒｂｉｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｈａｒｂｉｎ １５０００１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｏ ｆｕｌｌｙ ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄ ｔｈｅ ｆｒｉｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｗｅａｒ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ，ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ｏｎ ｔｈｅ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｗｅｒｅ ｓｉｍｕｌａｔｅｄ． Ｔｈｒｅｅ⁃ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ＣＦＤ ｍｏｄｅｌ ｃｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇ ｍｕｌｔｉｐｈａｓｅ ｆｌｏｗ ａｎｄ ｄｉｓｃｒｅｔｅ ｐｈａｓｅ ｗａｓ ｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ ｔｏ ｏｂｔａｉｎ ｔｈｅ ｓｐｅｅｄ ａｎｄ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｌｉｑｕｉｄ ａｓｗｅｌｌ ａｓ ｔｈａｔ ｏｆ ｔｈｅ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ａｂｒａｓｉｖｅ ｐａｒｔｉｃｌｅｓ ｂｅｔｗｅｅｎ ｗａｆｅｒ ａｎｄ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｐａｄ ｕｎｄｅｒ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ． Ｉｔ ｉｓｆｏｕｎｄ ｔｈａｔ ｔｈｅ ａｂｒａｓｉｖｅ ｐａｒｔｉｃｌｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｓ ｓｍａｌｌｅｒｗｈｅｎ ｔｈｅｆｉｌｍ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｉｓ ｓｍａｌｌｅｒ，ａｎｄ ｔｈｅ ｇｒｅａｔｅｒ ｔｈｅ ｓ