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第八章 半导体材料 张 钰 主要内容 8.1 半导体材料的发展历程 8.2 半导体材料分类 8.3 硅和锗半导体材料 8.4 化合物半导体材料 砷化稼、碲镉汞、半导体陶瓷 8.5 半导体微结构材料 8.6 非晶态半导体 8.1半导体材料的发展历程 半导体材料的发展与器件紧密相关。可以说，电子工业的发展和半导体器件对材料的需求是促进半导体材料研究和开拓的强大动力;而材料质量的提高和新型半导体材料的出现，又优化了半导体器件性能，产生新的器件，两者相互影响，相互促进。 8.1半导体材料的发展历程 1941年——用多晶硅材料制成检波器，是半导体材料应用的开始； 1950年——用切克劳斯基法成功地拉出了锗单晶，并用它制成了世界第一个具有放大性能的锗晶体三极管(点接触三极管)； 1951年——用四氯化硅锌还原法制出了多晶硅; 1952年——用直拉法成功地拉出世界上第一根硅单晶;同年制出了硅结型晶体管，从而大大推进了半导体材料的广泛应用和半导体器件的飞速发展。 8.1半导体材料的发展历程 60年代初,出现了硅单晶薄层外延技术，特别是硅平面工艺和平面晶体管的出现，以及相继出现的硅集成电路，对半导体材料质量提出了更高的要求，促使硅材料在提纯、拉晶、区熔等单晶制备方法方面进一步改进和提高，开始向高纯度、高完整性、高均匀性和大直径方向发展。 8.1半导