第五章晶体中电子在电场磁场中的运.pptVIP

第五章晶体中电子在电场磁场中的运.ppt

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
引入 电子能带理论的出发点——固体中的电子不再束缚于个别的原子,而是在整个固体内运动,即公有化电子。假定原子核处在其平衡位置,把原子核偏离平衡位置的影响看成微扰。电子的运动满足Bloch函数: 一个确定的波矢和势场分布 一系列电子运动的波函数 称为电子的一个能带 h1、h2、h3为整数 波矢只能取N=N1N2N3个分立值 有N个允带,其余的都是禁带 满 带:能带中所有的能态均已被电子所填满。最高的满带又称价带。 导 带:一个能带中只有部分能态填有电子,而其余 的能态为没有电子填充的空态。最低的空带也称为导带。 近满带:一个能带的绝大部分能态已填有电子,只有少数能态是空的。 带 隙:价带最高能级(价带顶)与导带最低能级(导带底)之间的能量范围。 在k空间中,对于同一能带有 对于同一能带,处于 态和处于 态的电子具有大小相等方向相反的速度 当没有外加电场时,在一定温度下,电子占据 态和 态的概率相同,这两态的电子对电流的贡献相互抵消。所以,无宏观电流I=0 一、满带电子不导电 1) 在无外场时 2) 在有外场 时 电子受到的作用力 电子动量的变化 —— 所有电子状态以相同的速度沿着电场的反方向运动 —— 满带的情形中,电子的运动不改变布里渊区中电子的 分布, 满带中的电子不产生宏观的电流 满带中电子的对称分布不会因外场的存在而改变,所以不产生宏观电流,I=0 二、 导带电子对导电的贡献 1) 在无外场时 ——虽然只有部分状态被电子填充,但波矢为 的状态和波矢为 的状态中电子的速度大小相等、方向相反,对电流的贡献相互抵消。 —— 热平衡状态下,电子占据两个状态的几率相等 晶体中的导带在无外场作用时,由于波矢 和波矢 对称地被电子填充,不产生电流。 2) 在有外场 时 ——导带中只有部分状态被电子填充,外场的作用会使布里渊区的状态分布发生变化。 —— 所有的电子状态以相同的速度沿着电场的反方向运动, 但由于能带是不满带,逆电场方向上运动的电子较多。 在外场作用下,整个电子分布将向一方移动,破坏了原来的对称分布,这时电子电流将只是部分抵消,导带中的电子产生电流。 非导体 导体 绝缘体 半导体 } 三、 导体和非导体的模型 非导体:电子恰好填满能量最低的一系列能带,再高的各能带全部都是空带,由于满带不产生电流,所以不导电。 价带 价带 价带 空带 空带 导带 导 体:电子除填满一系列能带外,还有只是部分地被电子填充的能带,后者起到导电作用,称为导带。 假设晶体由N个原子组成,根据紧束缚近似于各满壳层的原子态相应的能带,每个能带能容纳正、反自旋的2N个电子。 碱金属(Li,Na,K等)——原子中只有一个价电子 N个原子的N个价电子只能填充能带的一半,典型的金属导体。 碳族元素(C,Si,Ge等)——原子中含有四个价电子 N个原子的偶数个价电子,正好填满一系列能带,典型的非导体。其中碳是典型的绝缘体,硅和锗是典型的半导体。半导体具有一定导电能力,它的导电性往往是由于存在一定的杂质,或者由于热激发产生本征导电。 V族元素(Bi,Sb,As等)——原胞中含有偶数个价电子 三角晶格结构,N个原胞的偶数个价电子,似乎应是非导体。但是由于能带之间的交叠使它们具有了金属的导电性,但是由于能带交叠比较小,对导电有贡献的载流子数远小于普通的金属,被称为半金属,是介于金属和半导体的中间状态。 四、 近满带和空穴 近满带—— 满带中的少数电子受热或光激发从满带跃迁到空带中去,使原来的满带变为近满带。 假设近满带中有一个 态中没有电子,设 为这种情况下整个近满带的总电流。设想在空的 态中填入一个电子,这个电子对电流的贡献为 如果在空的 中放入一个电子,近满带变为满带,总的电流为零 近满带的总电流相当于一个带正电q的粒子,以空状态 中电子的速度 所引起的 在电磁场作用下,满带不产生电流 两边对时间微分得到 作用于空状态中电子的外力 实际上空状态往往是在满带顶附近,而在一个能带顶附近,有效质量m*总是负的;在一个能带底附近,有效质量总是正的。 一个正电荷q在电磁场中受到的力 外电磁场中,近满带电流的变化等同于一个带正电q,具有正质量?m*?的粒子。 结论 当满带顶附近有空状态 时,整个能带中的电流以及电流在外电磁场中的变化相当于一个带正电q,具有正质量?m*?、速度 的粒子,这样一个假想的粒子 —— 空穴 固体中导带底部少量电子引起的导电 —— 电子导电性 固体中满带顶部缺少一些电子引起的导电 —— 空穴导电性 满带中的少量电子激发到导带中,产生的本征导电是由相同数目的电子和空穴构成的 —— 混

文档评论(0)

wnqwwy20 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:7014141164000003

1亿VIP精品文档

相关文档