四川大学嵌入式系统设计第四章 嵌入式系统存储器和常用接口.pptVIP

主讲教师: 陈良银 cly6@163.com 本课程内容 本课程主要讲三个方面的内容: 第一部分：嵌入式基本概念，ARM体系结构及软硬件平台。 第二部分：Linux操作系统，移植及嵌入式应用程序开发。 第三部分：WinCE操作系统，移植及嵌入式应用程序开发。 先修课程： 模拟电子技术。 数字电子技术。 计算机基础。 微机原理与接口技术。 单片机原理与应用。 操作系统。 语言类C/C++等。 教材与教学参考书 《ARMLinux嵌入式系统教程》，马忠梅等，北航出版社，2004。 《嵌入式Linux系统设计与应用》，王学龙. 清华大学出版社，2001年。 Programming Microsoft Windows CE 。 操作系统 原理、技术与编程 蒋静 徐志伟 机械工业出版社? 操作系统实验指导 徐虹 何嘉 清华大学出版社 操作系统课程设计 罗宇 褚瑞 机械工业出版社 第四章 嵌入式系统存储器和常用接口 嵌入式系统存储器分类 将嵌入式存储器按照易失性分为两种。分别是：嵌入式易失性存储器和嵌入式非易失性存储器。 嵌入式易失性存储器主要包括SRAM和DRAM。 SRAM是最早、最成熟的嵌入式存储器，广泛应用在通用CPU的片内高速缓存、网络处理器中的帧缓冲器等领域。 易失性存储器 在需要高密度和高带宽的嵌入式存储器时，选用DRAM。DRAM的宏单元面积仅仅是SRAM宏单元面积的1/3到1/4，相比之下，更容易实现大规模的集成。 可实现极高的存储带宽。 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作。 SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。 嵌入式非易失性寄存器 非易失性存储器一般有以下几种：Flash、FeRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）等。因为Flash应用较多，所以这里只介绍下Flash。Flash也分为两种，分别是NOR FLASH和NAND FLASH。 NOR的特点是可以芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，这样应用程序（如bootloader）可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。 NAND的cell是串的，体积小，它只能支持对整块的读写。所以，NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。 4.2 嵌入式系统存储器管理 系统地址范围的大小由CPU的位数决定，比如有一个32位的CPU(像ARM)，它的地址范围便是0~0xFFFFFFFF (4G)。 这个范围就是程序能够存取的地址范围，这个地址范围称为虚拟地址空间，该空间中的某一个地址称为虚拟地址。 与虚拟地址空间和虚拟地址相对应的是物理地址空间和物理地址，大多数时候系统所具备的物理地址空间只是虚拟地址空间的一个子集。 在没有使用MMU的系统中，虚拟地址被直接送到内存总线(如AHB总线)上，使具有相同地址的物理存储器被读写。而在使用了MMU的系统中，虚拟地址不是被直接送到内存地址总线上，而是送到内存管理单元MMU。 MMU由一个或一组芯片组成，一般在协处理器中，其功能是把虚拟地址映射为物理地址。还需要理解的是，程序访问存储器使用的是有效地址，而处理器访问存储器使用的则是物理地址。 4.3 S3C2410X存储系统介绍 S3C2410X的存储系统有下列主要特征: 支持数据的大端和小端模式存储(可以由软件选择)； 地址空间有8个存储体，每个存储体可达128MB，总共可达1GB； 所有存储体的存取位数均可编程改变(8位/16位/32位，BANK0只支持16/32位)； 总共8个存储体，其中6个支持ROM、SRAM；另外2个除支持ROM、SRAM外，还支持SDRAM等； 7个存储体的起始地址固定，1个存储体的起始地址可编程改变； 所有存储体的访问周期可编程改变； 从外部来的等待信号可以扩展总线周期； Bank0总线宽度 通过OM[1:0] (注)来配置Bank0的总线宽度 存储器(SROM/SDRAM)地址引脚连接 存储器地址引脚与微处理器地址引脚的具体连接方法随系统设计的数据总线宽度不同而异。 复位后S3C2410X的存储器映射表 4.4 通用UART UART(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter)通用异步收发器是用于控制计算