西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践第九章 金属化与多层互连技术.pptVIP

第九章 金属化与多层互连技术 本章主要内容 集成电路工艺中对金属材料的要求 目前使用最广泛的铝和铜 多晶硅、锗硅等栅电极材料及硅化物 多层金属互连工艺 9.1 集成电路对金属化材料特性的要求 一、金属及金属性材料 1.按功能划分 ①MOSFET栅电极材料－MOSFET器件的组成部分，对器件的性能起着重要的作用。 ②互连材料－将同一芯片的各个独立的元件连接成为具有一定功能的电路模块。 ③接触材料－直接与半导体材料接触的材料，以及提供与外部相连的接触点。 2.常用金属材料：Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等 3.常用的金属性材料：掺杂的poly-Si、金属硅化物（PtSi、CoSi）、金属合金（AuCu、CuPt、TiB2 、ZrB2 、TiC、MoC、TiN） 二、集成电路对金属化的基本要求 1.对P＋、N＋或poly-Si形成低阻欧姆接触，即硅/金属接触电阻越小越好； 2.提供低阻互连线，从而提高集成电路的速度； 3.抗电迁移； 4.良好的附着性； 5.耐腐蚀； 6.易于淀积和刻蚀； 7.易键合； 8.层与层之间绝缘要好，即相互不扩散，即要求有一个扩散阻挡层。 9.1.1 晶格结构和外延生长特性的影响 影响单晶膜生长的主要因素： 影响薄膜外延生长的重要因素： 晶格常数失配因子η：描述晶格结构的匹配程度。 9.1.2 电学特性 必须考虑：电阻率、电阻率的温度系数、功函数、与半导体