第四章 硅锗晶体中的杂质和缺陷.pptVIP

半导体材料 * 第四章  硅/锗晶体中的杂质和缺陷 * 杂质的分类 Ⅲ族杂质 Ⅴ族杂质 一、杂质能级 浅能级杂质 深能级杂质 对材料电阻率影响大 起复合中心或陷阱作用 * 二、杂质对材料性能的影响 1.杂质对材料导电类型的影响 掺杂一种杂质 掺杂两种杂质 2.杂质对材料电阻率的影响 3.杂质对非平衡载流子寿命的影响 降低了载流子的寿命 * 三、硅锗晶体的掺杂 半导体的电学参数通过掺杂来控制的，拉单晶的过程时就掺入杂质。 杂质掺入的方法 共熔法：纯材料与杂质一起放入坩锅熔化 投杂法：向已熔化的材料中加入杂质 不易挥发的材料 易挥发的材料 * 单晶生长时，杂质分布不均匀会造成横向和纵向电阻率不均匀 1.直拉法单晶纵向电阻率均匀性的控制 电阻率均匀性是半导体材料质量的一个指标 变速拉晶法：先用大拉速，再用小拉速 双坩锅法（连通坩锅法，浮置坩锅法）（P80） 一、直拉法生长单晶的电阻率的控制 * 2. 径向电阻率均匀性的控制 固液界面的平坦度 为了获得径向电阻率均匀的单晶，必须调平固液界面。采用的方法有: A：调整晶体生长热系统，使热场的径向温度梯度变小 B ：调节拉晶运行参数，例如对凸向熔体的界面，增加拉速；对凹向熔体的界面，降低拉速 C：调整晶体或者坩锅的转速 增加晶体转动速度，界面由凸变凹 增加坩锅转动速度，界面由凹变凸 D：增大坩锅内径与晶体直径的比值，一般 坩锅内径：晶体直径＝3～2.5：1 * 晶体生长的固液界面，由于受坩锅中熔体等温线的限制，常常是弯曲的。如果在晶体生长时迅速提起晶体，在原子密排面的固液界面会出现一小片平整的平面，称之为小平面。 小平面效应 在小平面区杂质浓度与非小平面区有很大差异，这种杂质在小平面区域分布异常的现象叫小平面效应。 由于小平面效应，小平面区域的电阻率会降低。为了消除小平面效应带来的径向电阻率不均匀性，需将固液界面调平。 * 二、水平区熔拉晶时杂质的控制 （区域匀平法） 在用水平区熔法生长单晶时的掺杂，是把杂质放在籽晶与料锭之间，随着熔区的移动使杂质分布在整个晶锭中。 利用这种方法可以得到比较均匀的电阻率分布，因此又称为区域匀平法。 * 根据导电类型和电阻率的要求选择掺杂元素 轻掺杂（1014～1016，在功率整流级单晶）、中掺杂（1016～1019，晶体管级单晶）、重掺杂（大于1019外延衬底级单晶） 根据杂质元素在硅、锗中的溶解度选择 固溶度是指杂质在一定温度下能溶入固体硅中的最大浓度。 三、五族元素在硅中的固溶度较大。 杂质原子半径越大，特征原子构型与锗、硅的越不同，它们在锗、硅中的固溶度越小。 根据分凝系数选择 分凝系数远离1的杂质难于进行重掺杂 掺杂元素的选择标准 * 根据杂质在晶体中的扩散系数选择 在高温工艺中，如扩散、外延，掺杂元素的扩散系数小些好 快扩散杂质：H，Li, Na, Cu, Fe, K, Au, He, Ag, Si 慢扩散杂质：Al,P,B,Ca, Ti, Sb，As 根据杂质元素的蒸发常数选择 快蒸发杂质的掺杂不宜在真空而应在保护性气氛下进行 尽量选择与锗、硅原子半径近似的杂质元素作为掺杂剂，以保证晶体生长的完整性 * 晶体中常见的缺陷种类 点缺陷 线缺陷 位错 面缺陷 体缺陷 微缺陷 四、硅锗单晶中的位错 * 四、硅、锗单晶中有害杂质的防止 硅单晶中重金属元素Cu、Fe、Ni、Mn、Au、Ti；碱金属Li、Na、K；非金属C、O等对器件性能有重大影响。 （一）、金属杂质 1.金属杂质在硅中的形态 金属杂质在硅中可以是间隙态，替位态，复合体，也可以是沉淀。金属杂质在硅中的形态，主要取决于固溶度，同时也受热处理温度、降温速度、扩散速度等因素的影响。 * （一）、金属杂质 固溶度的影响 浓度低于固溶度以间隙或替位态存在，大部分处于间隙态。 浓度大于固溶度，以复合态或沉淀存在。过渡金属在硅中沉淀结构一般以MSi2，如Fe、Ni、Co等，铜例外，为Cu3Si。 降温速率和扩散速度的影响 高温热处理快速冷却，或扩散速度又相对较慢，金属原子来不及扩散，它们将以饱和、单个原子形式存在于晶体中，或是间隙态，或是替位态，一般为间隙态。 高温处理后冷却速度较慢，或冷却虽快，金属扩散速度特别快，将在金属表面或缺陷处形成复合体或沉淀。如Cu、Zn、Ni等。 * （一）、金属杂质 2.对材料和器件性能的影响 无论金属杂质以什么形态在单晶中出现，都可能引入载流子，且能引入深能级，影响寿命值，所以金属杂质能导致器件性能降低，甚