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晶体管攻略计划 　　集　　成　　电　　路　　设　　计　　综　　合　　实　　验　　报　　告　　学院：电控学院　　班级：微电子1001班　　姓名：xxx　　学号：xxxxxxxxxx　　一、实验目的　　1、培养从版图提取电路的能力　　2、学习版图设计的方法和技巧　　3、复习和巩固基本的数字单元电路设计　　4、学习并掌握集成电路设计流程　　二、实验内容　　1、反向提取给定电路模块，要求画出电路原理图，分析出其所完成的　　逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。　　）　　实验原理　　标准CMOS工艺下的集成半导体器件主要有NMOS晶体管、PMOS晶　　体管、多晶硅电阻和多晶硅电容等。在P型衬底N阱CMOS工艺中，NMOS　　晶体管直接制作在衬底材料上，PMOS晶体管制作在N阱中。在集成电路　　版图的照片中，NMOS管阵列和PMOS管阵列一般分别制作在不同区域，　　PMOS管阵列制作在几个N阱内，NMOS管阵列制作在多个区域。这一点　　在照片中可以明显地区分开来。N阱和两种有源区存在较为明显的颜色差　　别。通过对N阱、P型有源区和N型有源区的颜色辨别，可以确认PMOS　　管阵列和NMOS管阵列位置。　　N型选择区和有源区共同构成了N型掺杂区，P型选择区和有源区共　　同构成了P型掺杂区。在实际的电路