微机械电子系统2.docVIP

英语翻译 PAGE 1 - 微机械电子系统 微机械电子系统（MEMS）（也写为微机电，微机电或微电子和微机电系统）是由电力驱动的非常小的机械装置技术。它在纳米尺度融合了纳机电系统（NEMS）和纳米技术。微机电系统也被称为微型机械（在日本），或微系统技术MST（在欧洲）。朗读显示对应的拉丁字符的拼音朗读显示对应的拉丁字符的拼音 MEMS是独立的，与分子纳米技术或分子电子学不同。MEMS由1至100微米（即0.001至0.1毫米）之间大小的部件组成，通常MEMS设备的尺寸范围是20微米（0.000002米）至1毫米。它们通常由处理数据的中央单元，微处理器和其它若干个用来连接外设的部件，例如微传感器，组成。在这种大小尺度，经典??物理学的标准结构并不总是有用的。由于MEMS的表面积与体积比，表面效应如静电，如惯性或热质量的润湿主宰体积效应，都较大。 非常小的设备的潜能在技术存在之前就已得到赞赏，这可以让人们看到，例如，理查德费曼1959年著名的演讲，有底部的空间。一旦能使用通常用来制造电子产品的改性半导体设备制造技术制造，MEMS将变为现实。这些制造技术包括成型和电镀，湿法刻蚀（KOH, TMAH）和干蚀刻（RIE and DRIE），电火花加工（EDM）以及其它小型设备的制造技术。MEMS设备的一个早期的例子是resonistor，一种机电单片谐振器。 1.MEMS描述 根据目标设备和市场部门，MEMS技术可以采用不同材料和制造技术。 2.MEMS制造材料 2.1硅 在现代世界上，硅是创建消费电子产品的最集成电路的材料。规模经济，随时可得的廉价优质的材料和电子功能整合能力，使硅在MEMS应用中有广泛的吸引力。硅还通过其材料性能产生显著的优势。在单晶形式，硅是一种近乎完美的胡克材料，这意味着当它弯曲时，几乎没有迟滞，因此几乎没有能量损耗。以及高重复制造，这也使得硅非常可靠的。它很少疲劳，可以在十亿至万亿范围内不中断服务的服务周期。生产所有基于硅的MEMS设备的基础的技术是材料层的沉积，图案光刻到这些层上，然后刻蚀制造所需形状。 2.2聚合物 尽管电子行业为硅行业提供了一个经济规模，但是生产上，晶体硅仍是一个复杂和相对昂贵的材料。另一方面，聚合物可以生产数量巨大，具有种类繁多的材料特性。MEMS器件可通过，诸如注塑成型，压花或光固化由聚合物制成，特别适合于微流体应用，如一次性血液测试盒。 2.3金属 金属也可用于创建MEMS元素。而金属不具备硅在机械性能中展现的某些优势，当在其限制内使用时，金属可以表现出非常高的可靠性程度。 金属可以通过电镀，蒸镀，溅镀的过程沉积。 常用的金属包括黄金，镍，铝，铜，铬，钛，钨，铂，银。 有强大MEMS的公司，规模上有大有小。规模大的公司为终端市场，如汽车，生物医药，电子等，专业生产大量廉价的组件或打包解决方案。成功的小企业提供创新解决方案的价值和吸收有高销售额与利润的定制制造的费用。此外，大型和小型公司从事研究与开发工作来探索MEMS技术。 3.MEMS基本过程 3.1沉降过程 在MEMS加工的基本基石之一是具有存厚度放在几纳米至大约100微米的薄膜材料的能力。 3.1.1物理沉积 有两种类型的物理沉积过程。 物理气相沉积（PVD）: 1）溅射 2）蒸发 3.1.2化学沉积 有两种类型的化学沉积。 化学气相沉积: 1）LPCVD：低压化学气相沉积 2）PECVD反应：等离子增强化学气相沉积 3.2掩膜制造 MEMS中的掩膜制造是材料上图案的转移。 3.2.1光刻 在MEMS中光刻技术通常是通过选择性暴露在辐射源，例如光源将光敏材料的图案转移。光敏材料是这样一种材料，当其暴露在辐射源下，其物理性将会改变。接触到的辐射来源。如果一个光敏材料是有选择性地暴露在辐射中（例如，通过屏蔽部分的辐射），辐射物质上的图案转移到曝光材料上，作为暴露和非暴露区域的不同的属性。 这暴露区域可以被删除或处理为基础基板提供一个面具。光刻通常用金属或其他薄膜沉积，干湿蚀刻。 1）电子束光刻 电子束光刻技术（通常称缩写为电子束光刻）是在表面覆盖有薄膜（称为抗蚀剂）上以图案扫描一束电子，（“曝光”抗蚀剂）和选择性地移除在抗蚀剂上曝光或非曝光的区域（显像）的过程。其目的，与光刻一样，是在抗蚀剂上建立在非常小的结构，可以随后通过蚀刻被转移到基板材料上。它在制造集成电路，也在建立纳米技术架构中使用。 电子束光刻技术的主要优势是，它是超过光的衍射极限，并在纳米制度建立特征的方法之一。这种无掩膜光刻在用于光刻的掩模制造，半导体元件小批量制造和研发中广泛应用。 电子束光刻技术的主要限制是吞吐量，即它对整个硅晶片或玻璃基板的曝光需要很长的时间。长时间的曝光，使光束漂移或不稳定在曝光过程中容易发生。此外，如果第二次图案不改变，掉头进行返工或重