铝掺杂量对氧化锌薄膜光电性能的影响-凝聚态物理专业毕业论文.docx

摘 摘 要 加 ，但 薄 膜 载 流 子 的 迁 移 率 逐 渐 下 降 。我 们 从 掺 杂 机 制 和 迁 移 率 的 散 射 机 制 方 面 给 予 解 释 。 砰) 采 用 Zwt % Al 掺 杂 的 陶 瓷 靶 材 制 备 z n o :Al 薄 膜 ，研 究 氧 气 流 量 和 衬 底 温 度 对 薄 膜 光 电性 能 的 影 响 ，同 时 与 Z wt .% 川 掺 杂 的 合 金 靶 材 制 备 的 Z n o :A I 薄 膜 比较 衬 底 温 度 对 它 们 电 阻 率 的 影 响 。 实 验 得 出 : ① 薄 膜 电 阻 率 随着 氧 气 流 量 的 增 加 急 剧 增 大 。 当氧 气 流 量 为 0 .22 Sccm 时 ，薄 膜 电 阻 率 最 小 为 5 .OZ x 1O一4/o cm ， 载 流 子 浓 度 为 4 .23 7x 1020/ cm 一3，迁 移 率 29 .32cm 2/ v. s。② 薄 膜 电 阻 率 随 着 衬 底 温 度 的 升 高 逐 渐 降低 。 当衬 底 温 度 为 40 0 ℃ 时 ， 电 阻 率 达 到 最 低 4 .7 x lo一4 o cm . ③ 与 Z wt .% A I 掺 杂 的 合 金 靶 材 制 备 的 Z n o :Al 薄 膜 比较 得 出 : 合 金 靶 材 制 备 的 z no !Al 薄膜 所 需衬 底 温 度 较 低 ，当在 2 10 ℃时 ， 电阻率 达 到 最 低 最 低 6 .74 x l0一4 n cm .我 们 从 合 金 靶 材 反 应 溅 射 和 陶 瓷 靶 材 的溅 射 机 理 方 面 给 予 解 释 。 (5) 系 统 研 究 了 lwt .% A1 掺 杂 的 z no :Al 薄 膜 电 阻 率 受 衬 底 温 度 的 影 响 ， 并 且 将 其 作 为 阳 极 应 用 到 O L E D 器 件 中 。实 验 得 出 : ① 当 衬 底 温 度 为 2 30 ℃ 时 ，电阻 率 最 小 ， 阻值 为 6 大10一4 o cm 。② 与 相 同 电 阻 率 的 IT O 阳 极 制 备 的 O L E D 器 件 对 比看 出 ， 两 种 器 件 都 表 现 出 典 型 的 二 极 管 特 性 。但 是 从 电 流 密 度 、 发 光 亮 度 和 电流 效 率 三 方 面 角 度 来 看 ，A Z O 薄 膜 阳 极 器 件 均 低 于 ITO 薄 膜 阳 极 器 件 的 性 能 。 初 步 分 析 原 因 是 A Z O 薄 膜 的 功 函 数 略 小 于 ITO 薄 膜 的 功 函 数 ，导 致 阳 极 空 穴 注 入 能 力 相 对 降 低 。 关 键 词 : 铝 掺 杂 量 掺 铝 氧 化 锌 薄 膜 合 金 靶 材 陶 瓷 靶 材 电 学 特 性 光 学 特 性 冲 A b A b stra e t A b s tr a C t R eeen tly ，A I d o P ed Z n O film (Z n O : A I) 15 a P rom isin g tran sP aren t eon du etiv e film b e e a u se o f lts sa tlsf ae to r y e le e trle a l a n d o P tle a l P ro P e r tle s ，lo w e o st o f ra w m a te rla ls a n d sta b 一llty in h y d ro g e n P la sm a e n v lro n m e n t. Z n O : A I th in f ilm a s e le c tro d e m a te rla ls e o m m o n ly u se d in P h o to v o lta le d e v lc e s a n d O L E D d e v xe e s. L o w re slst一v lty a n d h lg h v islb le lig h t tra n sm itta n e e a re two im P o r ta n t f ae to rs w h le h e a n im P a e t o n e le e tro d e m a te ria ls ，In o rd e r to re d u e e th e f ilm re sistiv xty， u su